上海烧结碳化硅窑具

时间:2021年02月06日 来源:

碳化硅窑具材料的基本特性 通常的绿色或黑色[.业碳化硅一级品中SiC的含量在98%以上,杂质主要是未反应完全的Si、SiO2.C以从德量的Fe.Al .Ca.Mg等。SiC的耐火度极高,在大气中没有熔点,2300C以上开始升华,至2600C以上才分解为硅蒸汽利石墨。高温下不会因产生液相而发生蟎变。在1500T以前,SiC的机械强度随温度升高略有上升,因此SiC是理想的高温结构材料。 SiC的导热系数很高,500C时为65w/m.k,875C时为42w/m.k,是.般高铝耐火材料的10倍以上。奥翔硅碳生产的产品受到用户的一致称赞。上海烧结碳化硅窑具

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    所采用的技术方案是一种碳化硅窑具,其特征在于烧结前的组分的重量百分比为碳化硅90-99%,添加剂%,粘合剂%,适量的水。上述碳化硅是由2-6%粒度小于3μm的碳化硅微粉、52-55%粒度为6-24目和36-50%粒度为150-240目的碳化硅组成。上述添加剂是由20-60%粒度小于3μm硅微粉,10-20%粒度为220-320目金属硅粉、20-40%粒度为180-240目石墨粉,氧化锆0-4%、稀土氧化物2-10%组成。上述稀土氧化物为氧化铈。上述粘合剂为木质磺酸钙或糊精或木质磺酸钙和糊精按任意比例混合。上述碳化硅微粉为石油焦碳化硅微粉,其碳化硅含量大于98%。一种生产权利要求1所述碳化硅窑具的制备工艺,其工艺步骤如下a)混料按上述比例将原料放入混料机中混合均匀;b)困料将上述混合均匀的物料在密闭状态下静置12-36小时;c)成型将b步骤制备好的物料,称重后置入模具中成型;成型时对模具进行双面振动加压,极振力为200-350KN,振动时间1-12秒;d)烘干将上述成型后的坯料在80-120℃条件下烘干至含水量小于1%;e)烧成在1400-1550℃条件下烧结成型;f)检测按技术要求进行检测,包装后即为成品。本发明的特点是1、由于窑具生产配方的改进,使产品的结合相发生了本质的变化。上海烧结碳化硅窑具以客户至上为理念,为客户提供咨询服务。

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碳化硅窑具是陶瓷工业重要的辅助资料,对陶瓷产品的质量和本钱起着无足轻重的作用。目前,我国窑具消费和管理都很不完善,特别在原料加工,招致窑具质量差,损耗严重。窑具的种类和质量都不能满足节能降耗的请求,特别是产品粗大笨重。随着现代陶瓷工业的开展,陶瓷消费技术正在更新,详细表如今,产品焙烧技术由传统的匣钵烧成转向明焰无匣烧成,运用了快速节能烧成新技术,但该新技术是靠新型窑具来完成的;对窑具资料提出了更高的请求,详细有:强度高、壁薄体轻,能禁受快速烧成,有更高的规整度和准确度等。因而,如何在窑具材质的加工、合成和选择上满足现代技术性能的请求,怎样进步窑具的质量以顺应陶瓷工业的开展,是一个刻不容缓的问题。

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Si2N4结合的碳化硅是在碳化硅原料中掺入一定量的硅,在烧结过程中硅与氮反应生成的Si2N4将碳化硅结合在一起,这种材料的性能与前两种相比都有很大提高,且强度随温度升高而略有升高,用它来制作坩埚或棚板。与上述碳化硅材料比较,再结晶碳化硅的碳化硅含量,可看作纯碳化硅材料,它是将粗颗粒和细颗粒的碳化硅粉料及少量成形结合剂混合,用压制或注浆法成形。碳化硅的再结晶是在无液相条件下,靠蒸发--凝聚传质机理来完成的。由于物质表面的蒸汽压与曲率半径成反比,即颗粒越小,表面的饱和蒸汽压越大,故小颗粒表面的蒸汽向蒸汽压较小的大颗粒表面转移并达到饱和而凝聚在大颗粒表面上。由于小颗粒越蒸发,表面曲率半径越小,饱和蒸汽压越大,又加速了小颗粒的蒸发;与此同时,大颗粒由于晶体长大,曲率半径越来越大,而饱和蒸汽压则越来越小,也加速了大颗粒表面的凝聚过程,**终小颗粒全部蒸发完毕,留下空隙,大颗粒则通过晶体长大而相互结合成一个牢固的整体。在再结晶过程中,制品不产生收缩,因此成形时的生坯密度决定了烧成后产品的密度和气孔率。再结晶碳化硅的高温机械强度极好,它使碳化硅材料的特性得到了充分发挥,是各类窑具材料中**理想、**有前途的材料。奥翔硅碳设备的引进更加丰富了公司的设备品种,为用户提供了更多的选择空间。济南碳化硅窑具供应商

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    这样所得的碳化硅制品的性能也介于两者之间。Si2N4结合的碳化硅是在碳化硅原料中掺入一定量的硅,成形后在氮气中于1500-1600℃烧结,在烧结过程中硅与氮反应生成的Si2N4将碳化硅结合在一起,这种材料的性能与前两种相比都有很大提高,且强度随温度升高而略有升高,用它来制作坩埚或棚板,厚度可降至6-8mm。与上述碳化硅材料比较,再结晶碳化硅的碳化硅含量比较高,可看作纯碳化硅材料,它是将粗颗粒和细颗粒的碳化硅粉料及少量成形结合剂混合,用压制或注浆法成形,在中频或高频感应炉内于2200-2500℃的高温下烧成。碳化硅的再结晶是在无液相条件下,靠蒸发--凝聚传质机理来完成的。由于物质表面的蒸汽压与曲率半径成反比,即颗粒越小,表面的饱和蒸汽压越大,故小颗粒表面的蒸汽向蒸汽压较小的大颗粒表面转移并达到饱和而凝聚在大颗粒表面上。由于小颗粒越蒸发,表面曲率半径越小,饱和蒸汽压越大,又加速了小颗粒的蒸发;与此同时,大颗粒由于晶体长大,曲率半径越来越大,而饱和蒸汽压则越来越小,也加速了大颗粒表面的凝聚过程,**终小颗粒全部蒸发完毕,留下空隙,大颗粒则通过晶体长大而相互结合成一个牢固的整体。在再结晶过程中,制品不产生收缩。上海烧结碳化硅窑具

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