上海 PA8020-CC-PCC200V加热板总经销

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    实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术：半导体芯片在发育时，对温场的均匀性要求较高，因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索，在**称谓：一种用以mocvd装置的钨涂层加热片及其制备方式（cnb）中公开了一种加热片，但是这种加热片由于中心为镂空构造并不适合半导体领域的芯片发育采用。在目前，芯片生长中用到到的加热板的构造如附图1所示，中间是形状为ω的热弧板1，在热弧板1的两侧分别连通两组拱形热片2，两组半圆形热片2是直线对称的，在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供平稳的热源。这种平板型加热板是一种电阻式加热方法，通过热辐射的方法，给上方的生长芯片的载体（石墨盘）加热，提供芯片生长所需的热能和温场。由于加热板的空隙22部分对应上方的载盘位置的是从未直接热辐射加热的，石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外，石墨盘是通过高速转动的（1000rpm）实现载体（石墨盘）的表面温场的均匀性（±℃）。传统的对称式构造加热片中，加热板的空隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上。上海 PA4025-WP加热板总代理防止工质进入过渡沸腾区，从而导致传热恶化，壁温过热。

    第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域设置于第二加热区域和第三加热区域外圆周；每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽，且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接，使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联；每个加热区域内均设置有一根加热丝，加热丝嵌于弧形凹槽内；底板与加热盘扣合；若干垫柱设置于加热盘上。其中，加热盘上还设有限位柱，限位柱用于限定晶圆在加热盘上的位置。其中，底板上均设置有温度传感器。其中，底板上设置有过温保护器。其中，垫柱为peek材料，高度为。其中，加热器外圆周上还套设有隔热环。三、本发明的有益效果与现有技术相比，本发明的晶圆加热器具通过七个加热区域，且每个加热区域为**加热单元的设计，使整个加热盘能够均匀的发热，达到了对晶圆均匀加热的效果，通过隔热环的设计，有效的加热区域内的热量过快的散发，提高了保温效果，同时隔热环还可以有效的避免烫伤周围人员，提高了安全性能。附图说明图1为本发明的晶圆加热器的图；图2为本发明的晶圆加热器的背面结构示意图；图3为本发明的晶圆加热器的正面结构示意图；图4为本发明的晶圆加热器的加热盘的背面结构示意图；图中：1为加热盘；2为底板；3为垫柱。

    本发明的第二个实施例：和***实施例相比之下，第二实施例的特点是在中心点o处增加了封闭的热环5。实际如图5所示，所有加热片中心的自由端与封闭的热环5固定连接；对于热环5的形状可以是椭圆形构造，为了确保电阻阻值的一致，加热片需固定到椭圆形热环5轴对称位置。但是，如果所述热环5的形状是圆形，则热环5只需等间距分布即可。进一步地，所述加热片的数目是两组，包括：***加热片6和第二加热片7；所述***加热片6的***迂回端61和第二加热片7的第二迂回端71彼此纵横组成曲折的留置区8。所述中心点o设有热环5且热环5与两组加热片连通的自由端分别通过***电极91和第二电极92的与电源连接。固定到环形或圆形的热环5的加热片不仅可以安定加热片的间距，同时还可以限制加热板的总体构造，不会让局部变形影响总体；进而化解了疑问一；而总体的环形热环5可以不需要在加热板中心安装电源，可以保证加热板中心的热源温度平稳，同时结合实际推行例一，也可以化解技术疑问二和技术疑问三。晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。

    晶圆热处理在涂敷光刻胶之前，将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上，把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面，然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用，光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉，获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶，是对光、电子束或X线等敏感，具有在显影液中溶解性的性质，同时具有耐腐蚀性的材料。一般说来，正型胶的分辨率高，而负型胶具有感光度以及和下层的粘接性能好等特点。光刻工艺精细图形(分辨率，清晰度)，以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定，因此有良好的光刻胶，还要有好的曝光系统。晶圆晶圆的背面研磨工艺晶圆的集成电路制造，为了降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装，在硅晶圆正面制作完集成电路后，需要进行背面减薄。晶圆的背面研磨工艺。加热器支撑圆盘、研磨盘，晶圆加热器设置在加热器支撑圆盘和研磨盘之间。PA3015-PCC20A加热板经销

将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。上海 PA8020-CC-PCC200V加热板总经销

    如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件进行升温的高频机，其特征在于，还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法，其特征在于包括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置，其特征在于所述的温度测控模块为红外线温度测控模块。全文摘要本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法；包括高频机、温度测控模块和信号调理模块；方法为1，开始高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度。上海 PA8020-CC-PCC200V加热板总经销

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