PA3025-WP-PCC20A加热板经销
晶圆放置在垫柱3上,使晶圆与加热盘1之间形成间隙,防止晶圆与加热盘1直接接触从而损坏晶圆,。加热盘1上还设有限位柱4,限位柱4的数量为6个,晶圆放置在6个限位柱之间,这方每次加热晶圆时,晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。底板2上设置有温度传感器5,温度传感器5用于检测底板2上温度值。底板2上设置有过温保护器6,当温度过高使,对加热器及时断电,防止加热器损坏。实施例二、加热器在工作过程中温度较高,这样加热器的周围的温度也会较高,很容易烫伤工作人员,因此在上述实施例的基础上,曾设了隔热环7,隔热环7套设在加热器**,起到了对周围隔热的作用,同时也减少了加热器热量的散发,同时也保证的工作人员与底板2或加热盘的直接接触,有效的避免了。以上*是本发明的推荐实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。传统加热板留置区分配不合理引致加热不平衡,也易于引致局部变形等疑问。PA3025-WP-PCC20A加热板经销
实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术:半导体芯片在发育时,对温场的均匀性要求较高,因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索,在**称谓:一种用以mocvd装置的钨涂层加热片及其制备方式(cnb)中公开了一种加热片,但是这种加热片由于中心为镂空构造并不适合半导体领域的芯片发育采用。在目前,芯片生长中用到到的加热板的构造如附图1所示,中间是形状为ω的热弧板1,在热弧板1的两侧分别连通两组拱形热片2,两组半圆形热片2是直线对称的,在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供平稳的热源。这种平板型加热板是一种电阻式加热方法,通过热辐射的方法,给上方的生长芯片的载体(石墨盘)加热,提供芯片生长所需的热能和温场。由于加热板的空隙22部分对应上方的载盘位置的是从未直接热辐射加热的,石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外,石墨盘是通过高速转动的(1000rpm)实现载体(石墨盘)的表面温场的均匀性(±℃)。传统的对称式构造加热片中,加热板的空隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上。PA3003-PCC10A加热板国内总代理在高温下加热器周围形成油脂或石灰石,从而降低热导率、缩短加热器的寿命、增大耗电率。
本发明的第二个实施例:和***实施例相比之下,第二实施例的特点是在中心点o处增加了封闭的热环5。实际如图5所示,所有加热片中心的自由端与封闭的热环5固定连接;对于热环5的形状可以是椭圆形构造,为了确保电阻阻值的一致,加热片需固定到椭圆形热环5轴对称位置。但是,如果所述热环5的形状是圆形,则热环5只需等间距分布即可。进一步地,所述加热片的数目是两组,包括:***加热片6和第二加热片7;所述***加热片6的***迂回端61和第二加热片7的第二迂回端71彼此纵横组成曲折的留置区8。所述中心点o设有热环5且热环5与两组加热片连通的自由端分别通过***电极91和第二电极92的与电源连接。固定到环形或圆形的热环5的加热片不仅可以安定加热片的间距,同时还可以限制加热板的总体构造,不会让局部变形影响总体;进而化解了疑问一;而总体的环形热环5可以不需要在加热板中心安装电源,可以保证加热板中心的热源温度平稳,同时结合实际推行例一,也可以化解技术疑问二和技术疑问三。
所述线圈截面为正方形,线圈上端距离顶部端面不低于150mm;所述线圈缠绕密度从上端至底部依次减少;所述中心加热筒上端开口连接汽水引出管,下端开口连接汽水引进管,所述外筒体一侧与辅助加热水套汽水引入管连接。进一步地,所述线圈固定装置包括绝缘支柱,所述绝缘支柱上端通过支柱定位管与支柱固定块固定连接,下端与固定于底端平面的支柱底座连接;所述绝缘支柱上设有若干用于线圈定位的定位螺栓。进一步地,所述线圈固定装置设有三组,以中心加热筒轴线为中心呈正三角形分布。进一步地,所述绝缘支柱采用耐高温二苯醚层压板,压板外侧设有陶瓷套。进一步地,所述汽水引出管连接锅筒;所述锅筒还设有分别与汽水引进管以及辅助加热水套汽水引入管连接的下降管,形成完整的汽水循环。进一步地,所述电磁感应加热单元结构设置有若干组,每两组电磁感应加热单元未封闭端面距离不低于500mm。有益效果:本发明提供的电磁感应加热单元具有以下优点:(1)采用全包覆紧凑型设计,一方面减少电磁场泄漏,另一方面可以缩减加热单元之间或加热单元与周边金属框架之间的间距。(2)采用线圈的分区段设计,针对立式管内被加热工质存在预热段、过冷沸腾段、核态沸腾段等不同区段。具有在显影液中溶解性的性质,同时具有耐腐蚀性的材料。
***温度检测模块和第二检测模块均采用型号为pt1000的铂热电阻;***加热模块包括***功率继电器和***加热丝;第二加热模块包括第二功率继电器和第二加热丝;在本实施中,晶圆加热处于温度稳定阶段,并且将控制模块的温度稳定阶段的精度值设置为℃,本领域普通技术人员可根据实际需求设置该阶段的精度值。为了更好地解释本发明,假设***温度检测模块检测到的温度值为℃,第二温度检测模块检测到的温度值为℃,控制模块接收到上述两个温度值后,通过下述公式得到差值:差值=|℃℃|=℃控制模块将上述计算得到的差值与精度值进行比较,在本实施中,差值为℃,大于精度值℃;控制模块通过增大第二功率继电器的输出功率,提高第二加热丝的工作功率,直到***温度检测模块检测到的温度值和第二温度检测模块检测到的温度值之间的差值小于℃;当然本领域普通技术人员也可以通过减小***加热丝的工作功率,使得***温度检测模块检测到的温度值和第二温度检测模块检测到的温度值之间的差值小于℃。通过对热盘进行分区化的温度管理,使得热盘温度均匀,满足了高精度晶圆的加工需求。实施例2:本实施与实施例1的不同点是晶圆加热处于加热升温阶段,在该阶段控制模块的精度值设置为℃。信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出。MSA FACTORYPA2020-FC-PCC20A加热板价格多少
晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。PA3025-WP-PCC20A加热板经销
这也使得控制温度在目标温度士20°C范围内波动,波动范围较大。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种能够在高频加热时将工件温度控制在目标温度士5°C范围内的温度控制装置及方法。为达到上述目的,本发明提供一种高频加热时精确控制温度的装置及方法,其中,装置包括有对物件进行升温的高频机,监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。加热方法,包括有如下步骤第一步,开始高频加热,高频机满负荷加热升温,温度测控模块监测物件温度,当物件温度距目标温度80120°C时,改为动态功率加热;第二步,温度测控模块根据不同温度,反馈与温度成正比的电压值,信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出,使其越接近目标温度,输出功率越小;第三步,信号调理模块动态调节高频机的功率输出,物件温度保持在目标温度值的士5°c的范围内。采用上述技术方案所达到的技术效果是信号调理模块接受温度测控模块的信号,动态调节高频机的功率输出,使得物件温度越接近目的温度时,高频机的输出功率越小,减小因高频时间断开滞后造成的误差,可将工件温度控制在目标温度的士5°C范围内。进一步。PA3025-WP-PCC20A加热板经销
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