低真空闸阀蝶阀

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。这节介绍加热闸阀、加热式闸阀护套、加热器插入式阀门。带加热器闸阀，加热器插入闸阀：产品范围：2~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：20万次•响应时间：0.2秒~3秒；客户指定法兰，加热温度：450℃；蝶形阀；蝶阀：产品范围：DN40、DN50隔离•泄漏率：1.0E-9mbar·l/秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司控制系统闸阀。控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。低真空闸阀蝶阀

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，三重防护闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。有-屏蔽闸阀：防止气体和粉末进入阀内的隔离阀，-三重防护闸阀：屏蔽1和2+保护环的3重隔离系统，还有步进电机闸阀和铝闸阀，屏蔽门阀：产品范围：2.5~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•响应时间：0.2秒~3秒；三级预防闸阀，三重防护闸阀：产品范围：4~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀：产品范围：2.5~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀；铝闸阀：产品范围：2.5~12英寸•高压气动•维护前可用次数：10万次•响应时间：0.2秒~3秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。全真空可嵌入闸阀三星半导体闸阀不易产生水锤现象。原因是关闭时间长。

微泰，专门用闸阀应用于• Evaporation• Sputtering• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating• Etch• Diffusion（扩散）•CVD等设备上。可替代VAT闸阀。期特点是*使用维修配件工具包易于维护*将电磁阀和位置传感器连接到15针D-Sub*锁定功能*限位开关*•速度控制器&电磁阀（2Port+N2Port）用不锈钢管连接（φ6）*应用:泵隔离,产品工艺水平要求高的地方。专门用闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：4英寸~ 8英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：4˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、Micron,Global Foundries、英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体业绩。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，控制系统闸阀，控制闸阀、控制系统插板阀、控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。真空闸阀对于隔离不同的真空室、控制工艺过程中的气流以及在不影响真空环境的情况下促进维护或维修很重要。

微泰，三(多)位闸阀、三位闸阀、多位闸阀应用于• 蒸发•溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• 涂层• 蚀刻• 扩散•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*3个位置功能-阀门打开,阀门关闭,第3位置*设备可通过连接到阀门的9 Pin D-Sub来读取阀门状态*手动和气动阀门组合*应用:需要压力控制的任何其他过程*应用:需要压力控制的地方。三位闸阀、多位闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法兰类型ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩闸阀流动阻力小。阀体内部介质通道是直通的，介质成直线流动，流动阻力小。VAT闸阀蝶阀

高压闸阀结构简单，制造和维修比较方便。工作行程小，启闭时间短。密封性好，密封面间磨擦力小，寿命较长。低真空闸阀蝶阀

微泰，多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀其特点是•操作模式：本地和远程•紧急情况：自动关闭•慢速泵送功能。多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀规格如下：材料：阀体 STS304， 机制 STS304、法兰尺寸(内径) 4英寸~10英寸、闸门密封 FKM(VITON)、开/关振动 无振动、He泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、闸门压差 ≤1.4 bar、分子流动电导（ISO100）1891 l/s、阀座 1X10-10 mbarㆍL/秒、泄漏率阀体 1X10-10 mbarㆍL/Sec、压力范围 1X10-10mbar 至 1.4 bar、闸门上任一方向的压差≤1.4 bar、安装位置：任意。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 低真空闸阀蝶阀