高压闸阀TRANSFER VALVE

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，这里介绍一下阀门控制器-主控制器（Valve Controller Introduction）1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸-本地控制器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸 -遥控器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸。1，开放/关闭速度LCD显示；2，当阀门或泵错误时，灯点亮：3，自动关闭功能-防止泵跳闸中的逆流；4，有阀门开关位置的信号输出信号；5，锁定功能-本地/遥控器在解锁后进行快速操作；6，无噪音，功耗低；7，历史管理-打开/关闭/泵关闭等；8，UPS功能（1秒），微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。真空闸阀通过使用滑动闸门机构来控制气体的通过。高压闸阀TRANSFER VALVE

微泰，传输阀 (L-MOTION)、L型转换阀、输送阀、转移阀应用于晶圆加工，半导体加工，可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材料：铝或不锈钢• 紧凑型设计• 使用维修配件工具包易于维护• 应用：半导体系统中小于 450mm 晶圆的传输和处理室隔离，传输阀 (L-MOTION)、输送阀、转移阀规格如下：闸门密封类型：传输阀 (L-MOTION)、左动转换阀、驱动方式：气动、法兰尺寸（内径） 32×222/46×236/50×336/56×500 、连接方式：焊接波纹管、闸门密封 Viton O 形圈/硫化密封件、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、工作压力范围：1×10-10 mbar to 1200 mbar、开始时的压差：≤ 30 mbar、开启时压差： ≤ 1200 mbar r、泄漏率不锈钢：< 1×10 -9Mbarℓ/秒/铝：< 1×10 -5  mbar ℓ/秒、维护前可用次数： ≥1,000,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 闸阀楔式闸阀控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。

微泰半导体闸阀的特点：已向中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备，设备厂批量供货，已得到品质认可，已完成对半导体Utility设备和批量生产设备的验证。1，采用陶瓷球机构，抗冲击和震动，保证使用25万次，检修方便，较低维护成本。2，无Particle（颗粒）产生，采用陶瓷球无腐蚀和颗粒产。3，屏蔽保护：屏蔽式保护功能，闸阀阀体与挡板之间的距离小于1mm，可防止粉末侵入阀内，寿命为半永久性。4，保护环：Protecrion Ring通过流速上升设计防止粉末凝固，并通过打磨（研磨）工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。

微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸阀的结构长度(系壳体两连接端面之间的距离)较小。

微泰，超高压闸阀应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• 蚀刻• Diffusion•CVD等设备上。期特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:研发和工业中的UHV隔离。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管（AM350或STS316L）、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：铜垫圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。控制系统闸阀。控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。蒸发闸阀Micron

闸阀启闭时较省力。是与截止阀相比而言，因为无论是开或闭，闸板运动方向均与介质流动方向相垂直。高压闸阀TRANSFER VALVE

微泰半导体闸阀具有独特的特点：其插板阀主滑阀采用球机构方式，并且在量产工艺设备上经过了性能验证。该闸阀由半永久性钢球陶瓷和板簧组成，陶瓷与金属接触驱动时不会产生颗粒。目前已向中国台湾的 Micron、UMC、AKT，新加坡的 Micron、Global Foundries，马来西亚的英菲尼亚半导体，日本的 Micron、三星半导体等众多设备厂批量供货，且品质得到认可，同时也完成了对半导体 Utility 设备和批量生产设备的验证。与其他厂家闸阀的金属与金属接触驱动会产生大量颗粒不同，微泰半导体闸阀采用钢陶瓷球，在与金属摩擦时不会损坏，且金属与陶瓷球之间不会产生 Particle。半永久板簧（SUS 钢板）的应用确保了阀门驱动的同步性，同时还采用了固定球导向器和钢陶瓷。微泰半导体闸阀广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVIA闸阀、VAT 闸阀。此外，该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。高压闸阀TRANSFER VALVE