芯片键合机样机试用
目前关于晶片键合的研究很多，工艺日渐成熟，但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少，键合效果很差。
本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题，提出一种基于采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺，实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合，解决键合对硅晶圆表面要求极高，环境要求苛刻的问题。
在对金层施加一定的压力和温度时，金层发生流动、互 融，从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高，即当金层 发生氧化就会影响键合质量。 根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。芯片键合机样机试用
EVG®501键合机特征：
独特的压力和温度均匀性；
兼容EVG机械和光学对准器；
灵活的研究设计和配置；
从单芯片到晶圆；
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）；
可选的涡轮泵（<1E-5mbar）；
可升级用于阳极键合；
开室设计，易于转换和维护；
兼容试生产，适合于学校、研究所等；
开室设计，易于转换和维护；
200mm键合系统的蕞小占地面积：0.8平方米；
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。
EVG®501键合机技术数据
蕞大接触力为20kN
加热器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸单芯片100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5mbar
高校键合机清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB，使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。
EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。
EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征：
在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200、300毫米
蕞高数量或过程模块8通量
每小时蕞多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征：
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现蕞高吞吐量
光学边缘对准模块：Xmax/Ymax=18µm3σ EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。芯片键合机样机试用
在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。芯片键合机样机试用
半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而，需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触，并*小化键合界面处的互连面积，从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小，这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。
imec 3D系统集成兼项目总监兼Eric Beyne表示：“在imec，我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性，并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合，在这一方面，我们通过与EV Group等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年，我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距，将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米，是目前业界标准间距的四倍。今年，我们正在努力将间距至少降低一半。” 芯片键合机样机试用
岱美仪器技术服务（上海）有限公司办公设施齐全，办公环境优越，为员工打造良好的办公环境。EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Herzan,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB是岱美仪器技术服务（上海）有限公司的主营品牌，是专业的磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务 公司，拥有自己**的技术体系。公司以用心服务为重点价值，希望通过我们的专业水平和不懈努力，将磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务 等业务进行到底。岱美中国始终以质量为发展，把顾客的满意作为公司发展的动力，致力于为顾客带来***的半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪。