掩模对准光刻机原理
EVG120特征2：
先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能，可确保连续的高产量；
工艺技术卓/越和开发服务：
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
智能过程控制和数据分析功能[Framework SW Platform]
用于过程和机器控制的集成分析功能
设备和过程性能跟/踪功能；
并行/排队任务处理功能；
智能处理功能；
发生和警报分析；
智能维护管理和跟/踪；
技术数据：
可用模块；
旋涂/ OmniSpray ® /开发；
烤/冷；
晶圆处理选项：
单/双EE /边缘处理/晶圆翻转；
弯曲/翘曲/薄晶圆处理。
可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤、曝光后烘烤和硬烘烤操作。掩模对准光刻机原理
掩模对准系统：EVG的发明，例如1985年世界上较早的拥有底面对准功能的系统，开创了顶面和双面光刻，对准晶圆键合和纳米压印光刻的先例，并设定了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器产品来增强这些**光刻技术，从而在这些领域做出了贡献。
EVG的掩模对准系统可容纳尺寸**/大，尺寸和形状以及厚度**/大为300 mm的晶片和基板，旨在为高级应用提供先进的自动化程度和研发灵活性的复杂解决方案。EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证，并已安装在全球的生产设施中，以支持众多应用，包括高级封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS制造。 掩模对准光刻机原理EVG所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。
EVG120光刻胶自动处理系统：
智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）
用于过程和机器控制的集成分析功能
并行任务/排队任务处理功能
设备和过程性能跟/踪功能
智能处理功能：
事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪
晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米
模块数：
工艺模块：2
烘烤/冷却模块：**多10个
工业自动化功能：Ergo装载盒式工作站/
SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口
分配选项：
各种光刻胶分配泵，可覆盖高达52000 cP的粘度
液体底漆/预湿/洗盘
去除边缘珠（EBR）/背面冲洗（BSR）
恒压分配系统/注射器分配系统
电阻分配泵具有流量监控功能
可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸
超音波
HERCULES®
■ 全自动光刻跟/踪系统，模块化设计，用于掩模和曝光，集成了预处理和后处理能力
■ 高产量的晶圆加工
■ **多8个湿法处理模块以及多达24个额外烘烤，冷却和蒸汽填料板
■ 基于EVG的IQ Aligner® 或者EVG®6200
NT技术进行对准和曝光
■ **的柜内化学处理
■ 支持连续操作模式(CMO)
EVG光刻机可选项有：
手动和自动处理
我们所有的自动化系统还支持手动基片和掩模加载功能，以便进行过程评估。此外，该系统可以配置成处理弯曲，翘曲，变薄或非SEMI标准形状的晶片和基片。各种晶圆卡盘设计毫无任何妥协，带来**/大的工艺灵活性和基片处理能力。我们的掩模对准器配有机械或非接触式光学预对准器，以确保**/佳的工艺能力和产量。Load＆Go选项可在自动化系统上提供超快的流程启动。 EVG的掩模对准目标是适用于高达300 mm的不同的厚度，尺寸，形状的晶圆和基片。
EVG620 NT技术数据：
曝光源：
汞光源/紫外线LED光源
先进的对准功能：
手动对准/原位对准验证
自动对准
动态对准/自动边缘对准
对准偏移校正算法
EVG620 NT产量:
全自动：第/一批生产量：每小时180片
全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆
晶圆直径（基板尺寸）：高达150毫米
对准方式：
上侧对准：≤±0.5 µm
底侧对准：≤±1,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基材
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±3.0 µm
曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
楔形补偿：全自动软件控制
曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光
系统控制：
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
实时远程访问，诊断和故障排除
工业自动化功能：
盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理
纳米压印光刻技术：SmartNIL ® EVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出巨大的贡献，以提高**重要的光刻技术的水平。掩模对准光刻机原理
EVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板，直径从2寸到300 mm。掩模对准光刻机原理
EVG ® 150光刻胶处理系统技术数据：
模块数：
工艺模块：6
烘烤/冷却模块：**多20个
工业自动化功能：
Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口
智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）
用于过程和机器控制的集成分析功能
并行任务/排队任务处理功能
设备和过程性能跟/踪功能
智能处理功能
事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪
晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米
可用模块：
旋涂/ OmniSpray ® /开发
烘烤/冷却
晶圆处理选项：
单/双EE /边缘处理/晶圆翻转
弯曲/翘曲/薄晶圆处理
掩模对准光刻机原理