新疆双触点压力控制器

D501/7D防爆压力控制器防爆标志ExedⅡCT4～T6膜片式传感器用于中性气体、液体介质。设定值调理范围-0…2.5MPa

本压力控制器的下列零件契合

微动开关——防爆标志ExdⅡCT6（隔爆型）

接线端子——防爆标志ExeⅡT6

防爆外壳——防爆等级eⅡ（增安型）

本产品国家仪器仪表防爆安全监督查验站查验合格，合格证编号为GYB081516X

主要技术指标

可用于空气、气体、水、液压油、润滑油、轻燃油等工作粘度：<1×10-3m2/s

外壳防护等级：IP54

（DIN40050）

环境温度：-5～40℃

介质温度：0～90℃

接口方向：压力接口垂直向下

抗振功能：Max：40m/s2

重复性差错：≤1.5%

触点容量:DC250V0.25A（阻性）60Wmax

AC250V5A（阻性）1250VAmax 按触电调节方式：两位式和三位式两种。新疆双触点压力控制器

   对于切换差不可调的开关，只需要调整动作值即可，将标准压力校验器输出值设定到动作值大小，之后调整设定值调节螺丝，直到微动开关在该值附近触发开关信号。随后增大调整压力校验器输出值，再缓慢降低，直到压力开关执行复位动作并发出开关信号，反复几次调整直到实际动作值和预设定值一致，且实际复位值数值=设定值-切换差。将开关自带的调整螺丝卡扣卡紧，防止设定值变动。对于切换差可调的开关，执行上述步骤完成动作值调整后，还需调整切换差的大小。保证设定值不改变后，将压力输出调到预设的下切换差，旋转切换差调整螺丝，直到压力开关在预设值附近执行回复动作并发出开关信号，反复几次直到实际复位值与设定的下切换差一致。卡紧卡扣，防止预设值变动。新疆温度控制器压力传感控制器实现抗冲击主要有两种方法，一种是换应变式芯片，另一种方法是外接盘管。

陶瓷压力控制器原理及应用抗腐蚀的陶瓷压力传感器没有液体的传递，压力直接作用在陶瓷膜片的前表面，使膜片产生微小的形变，厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面，连接成一个惠斯通电桥（闭桥），由于压敏电阻的压阻效应，使电桥产生一个与压力成正比的高度线性、与激励电压也成正比的电压信号，标准的信号根据压力量程的不同标定为2.0/3.0/3.3mV/V等，可以和应变式传感器相兼容。通过激光标定，传感器具有很高的温度稳定性和时间稳定性，传感器自带温度补偿0～70℃，并可以和绝大多数介质直接接触。陶瓷是一种公认的高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的材料。陶瓷的热稳定特性及它的厚膜电阻可以使它的工作温度范围高达-40～135℃，而且具有测量的高精度、高稳定性。电气绝缘程度>2kV，输出信号强，长期稳定性好。高特性，低价格的陶瓷传感器将是压力传感器的发展方向，在欧美国家有***替代其它类型传感器的趋势，在中国也越来越多的用户使用陶瓷传感器替代扩散硅压力传感器。

压力控制器误差无法避免首先的偏移量误差：由于压力传感器在整个压力范围内垂直偏移保持恒定，因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移量误差。其次是灵敏度误差：产生误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值，灵敏度误差将是压力的递增函数。如果灵敏度低于典型值，那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于扩散过程的变化。第三是线性误差：这是一个对压力传感器初始误差影响较小的因素，该误差的产生原因在于硅片的物理非线性，但对于带放大器的传感器，还应包括放大器的非线性。线性误差曲线可以是凹形曲线，也可以是凸形曲线称重传感器。终是滞后误差：在大多数情形中，压力传感器的滞后误差完全可以忽略不计，因为硅片具有很高的机械刚度。一般只需在压力变化很大的情形中考虑滞后误差。自动喷水灭火系统中以压力开关的动作信号作为启动喷淋泵的连锁触发信号。

正压电效应是指：当晶体受到某固定方向外力的作用时,内部就产生电极化现象,同时在某两个表面上产生符号相反的电荷；当外力撤去后，晶体又恢复到不带电的状态；当外力作用方向改变时，电荷的极性也随之改变；晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。逆压电效应是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象，又称电致伸缩效应。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电敏感元件的受力变形有厚度变形型、长度变形型、体积变形型、厚度切变型、平面切变型5种基本形式。压电晶体是各向异性的，并非所有晶体都能在这5种状态下产生压电效应。例如石英晶体就没有体积变形压电效应，但具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。上海中和D502/7D防爆压力控制器的价格。新疆双触点压力控制器

雨淋系统和防火分隔水幕，其水流报警装置宜采用压力开关。新疆双触点压力控制器

霍尔压力传感器：霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。新疆双触点压力控制器

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