点阵参数精确测量XRD衍射仪检测
薄膜和涂层分析采用的原理与XRPD相同,不过进一步提供了光束调节和角度控制功能。典型示例包括但不限于相鉴定、晶体质量、残余应力、织构分析、厚度测定以及组分与应变分析。在对薄膜和涂层进行分析时,着重对厚度在nm和µm之间的层状材料进行特性分析(从非晶和多晶涂层到外延生长薄膜)。D8ADVANCE和DIFFRAC.SUITE软件可进行以下高质量的薄膜分析:掠入射衍射X射线反射法高分辨率X射线衍射倒易空间扫描。由于具有出色的适应能力,使用D8ADVANCE,您就可对所有类型的样品进行测量:从液体到粉末、从薄膜到固体块状物。无论是新手用户还是**用户,都可简单快捷、不出错地对配置进行更改。这都是通过布鲁克独特的DAVINCI设计实现的:配置仪器时,免工具、免准直,同时还受到自动化的实时组件识别与验证的支持。定性相分析和定量相分析、结构测定和精修、微应变和微晶尺寸分析。点阵参数精确测量XRD衍射仪检测
材料属性D2PHASER是一款便携的台式XRD仪器,主要用于研究和质控。您可以使用TOPAS软件提供的基本参数方法研究晶体结构、研究快速可靠的SAXS测量的纳米结构或研究微观结构(微晶尺寸)。SAXS—分析SBA-15介观催化剂(PDF)Er-Melilite的晶体结构(PDF)阳极焦炭(LC值)分析(PDF)DIFFRAC.DQUANT:对残余奥氏体进行合规量化(PDF)布鲁克为矿物和采矿业提供了先进的解决方案,旨在以可靠的方式,支持地质学家和矿产勘探者随时随地开展矿床发现和分析工作。深圳进口XRD衍射仪售后服务卡口安装式Eulerian托架可支持多种应用,如应力、织构和外延膜分析,包括在非环境条件下。
制剂中微量API的晶型检测引言药物制剂生产过程中除需添加各种辅料外,往往还需要经过溶解、研磨、干燥(温度)、压片等工艺过程,在此过程中API的晶型有可能发生改变,进而可能影响到药物的疗效。国内外FDA规定多晶型药物在研制、生产、贮存过程中必须保证其晶型的一致性,固体制剂中使用的晶型物质应该与API晶型一致。因此药物制剂中的晶型分析是非常重要的。由于辅料的存在对药物制剂中API的晶型分析增加了干扰,特别是API含量非常少的制剂样品,检测更加困难。XRPD是API晶型分析的有效手段之一,配合高性能的先进检测器,为制剂中微量API的晶型检测提供了有利工具。
那么,碳晶体的晶胞参数可直接用来表征其石墨化度。XRD法利用石墨的晶格常数计算石墨化度G[1]:式中:0.3440为完全非石墨化炭的(002)晶面间距,nm;0.3354为理想石墨晶体的(002)晶面间距,nm。为实际石墨试样(002)晶面间距,nm。实例不同石墨的石墨化度为了准确的确定值或(002)峰的峰位,需要在样品中加入内标以校准。本文根据QJ2507-93[2]规范,用硅作为内标物,加入待测石墨样品中,在玛瑙研钵中混合研磨均匀。石墨及其复合材料具有高温下不熔融、导电导热性能好以及化学稳定性优异等特点,应用于冶金、化工、航空航天等行业。特别是近年来锂电池的快速发展,进一步加大了石墨材料的需求。工业上常将碳原料经过煅烧破碎、焙烧、高温石墨化处理来获取高性能人造石墨材料。石墨的质量对电池的性能有很大影响,石墨化度是一种从结构上表征石墨质量的方法之一。利用布鲁克样品台,能精确地操纵样品。根据所需自由度和样品尺寸选合适的卡口安装式样品台和落地式样品台。
D2PHASER所具备的数据质量和数据采集速度远超目前人们对台式XRD系统的认知。紧凑轻便的外形和易于使用的设计,十分便于移动,您无需准备复杂的基础框架、大而笨重的工作台,也无需供应商前来安装和调整,只需准备标准的电源插座,然后花费几分钟的时间,即可完成从拆包到获得分析结果的过程。D2PHASERXE-T版D2PHASER配备了独特的LYNXEYEXE-T探测器,已然成为同类更好的选择!小于380eV的能量分辨率使其支持的数字单色器模式,可有效去除——不必要的辐射,如样品荧光,Kβ辐射以及轫致辐射——背景散射,而不会明显降低检测速度。D8D在金属样品检测中,残余奥氏体、残余应力和织构检测是其中小部分,目的在于确保产品完成复合用户需求。湖南授权代理商XRD衍射仪配件
D8 DISCOVER 特点:UMC样品台可对重达5 kg的样品进行扫描、大区域映射300mm的样品、高通量筛选支持三个孔板。点阵参数精确测量XRD衍射仪检测
X射线衍射(XRD)和反射率是对薄层结构样品进行无损表征的重要方法。D8DISCOVER和DIFFRAC.SUITE软件将有助于您使用常见的XRD方法轻松进行薄膜分析:掠入射衍射(GID):晶相表面灵敏识别及结构性质测定,包括微晶尺寸和应变。X射线反射率测量(XRR):用于提取从简单的基底到高度复杂的超晶格结构等多层样品的厚度、材料密度和界面结构信息。高分辨率X射线衍射(HRXRD):用于分析外延生长结构:层厚度、应变、弛豫、镶嵌、混合晶体的成分分析。应力和织构(择优取向)分析。点阵参数精确测量XRD衍射仪检测
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