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红外热像仪光子探测器的探测机理是光电效应，依据工作模式的不同，它又可进一步分为光电导(photoconductive,PC)探测器、光伏(photovoltaic,PV)探测器、光电子发射(photoemissive,PE)探测器、光电磁(photoelectromagnetic,PEM)探测器和丹倍(Dember)探测器等子类型，其中前两个子类型探测器的发展**强劲、应用*****。常见的IR光子探测器有InGaAs探测器、InSb探测器、HgCdTe探测器、QWIP、QDIP、T2SLS探测器、铅盐探测器以及非本征探测器(主要指BIB探测器)等，不同材料体系工作波长及响应率范围如下图所示：手持红外热像仪为例，一手拿着热像仪，就能完成电路检测、和电力、设备维护等人工巡检的工作。PYROLINE HS640N protection红外热像仪联系方式

红外热像仪（ThermalImagingCamera,缩写为TIC）的动作原理是利用特殊镜头抓取分子释放的红外线能量。任何物体只要高于***零度（-273℃）就会释放红外线能量。在火场有很多碳粒子，一般的可见光无法穿透，所以烟会挡住内部视线。而红外线的特性就是因为他的波长较长，所以不会被碳粒子挡住视线，而且可以看见烟流、气流，这是关键。所以在水域搜索时，只能看见水面上的物体；在水雾射水时容易干扰热成像仪的成像，在拍摄热像图时尽量停止向拍照区域射水。OPTPI400红外热像仪推荐厂家采用专业测温型机芯，外部加装双光防爆型护罩的红外热像仪，确保机芯的准确性和安全性。

红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡

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红外热像仪的检测范围取决于它的镜头大小，通常可分为标准镜头、长焦镜头、广角镜头。PYROLINE HS640N protection红外热像仪联系方式

一般而言,所谓的T2SLS探测器都是基于砷化铟(InAs)/锑化镓(GaSb)材料制作的｡InAs/GaSb T2SLS是一个由InAs和GaSb薄层交替构筑的多量子阱交互作用体系,该结构中InAs与GaAs的能带以II类方式对准｡这种能带续接方式可引发强有力的载流子隧穿现象,使该结构适用于MIR和LWIR探测｡理论预言在LWIR波段的性能T2SLS探测器的性能有望超过QWIP和HgCdTe探测器,然而在实验中,T2SLS探测器的暗电流仍处于较高的水平,远远达不到预期目**24x1024规模的T2SLS FPA探测器已研制成功,彰显了这种探测器的巨大潜力｡与前面几种探测器一样,T2SLS FPA探测器也是第三代红外热像仪系统的成员之一PYROLINE HS640N protection红外热像仪联系方式