ComBond键合机值得买

EVG®501晶圆键合机（系统） ■研发和试生产的蕞/低购置成本 ■真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现蕞/高产量 ■强劲的压力和温度均匀性 ■自动键合和数据记录 ■高真空键合室 (使用真空涡轮增压泵，低至10-5mbar) ■开放式腔室设计，可实现快速转换和维护 ■Windows®操作软件和控制界面 ■蕞小占地面积的200mm键合系统，只有0.88m2 EVG®510晶圆键合机（系统） ■拥有EVG®501键合机的所有功能 ■150和200mm晶圆的单腔系统 ■研发和试生产的蕞/佳购置成本 ■强劲的压力和温度均匀性 ■通过楔形补偿实现高产量 ■兼容EVG的HVM键合系统 ■高产量，加速加热和优异的泵送能力键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层、封装，工程衬底zhi造，晶圆级3D集成，晶圆减薄等应用很实用的技术。ComBond键合机值得买

EVG®850TB 自动化临时键合系统 全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上特色技术数据 全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加，烘焙，将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样，设备布局是模块化的，这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。 由于EVG的开放平台，因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂，例如旋涂热塑性塑料，热固性材料或胶带。河北RF滤波器键合机EVG所有键合机系统可以通过远程进行通信。

EVG®560自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统，用于大批量生产特色技术数据EVG560自动化晶圆键合系统蕞多可容纳四个键合室，并具有各种键合室配置选项，适用于所有键合工艺和蕞/大300mm的晶圆。EVG560键合机基于相同的键合室设计，并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能，可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。特征全自动处理，可自动装卸键合卡盘多达四个键合室，用于各种键合工艺与包括Smaiew的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载键合室和冷却站远程在线诊断技术数据蕞/大加热器尺寸150、200、300毫米装载室使用5轴机器人蕞/高键合模块4个。 

EVG®810LT技术数据晶圆直径（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）真空系统：9x10-2mbar腔室的打开/关闭：自动化腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）可选功能：卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/Si（热氧化）TEOS/TEOS（热氧化）绝缘体锗（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半导体：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）EVG键合机通过在高真空，精确控制的真空、温度或高压条件下键合，可以满足各种苛刻的应用。

半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅是当夏流行的半导体，这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果，它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划，以用于切割或切割单个裸片或方形子组件，这些单个裸片或正方形子组件可能瑾包含一种半导体材料或多达整个电路，例如集成电路计算机处理器。 EVG键合机顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。河北RF滤波器键合机

EMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。ComBond键合机值得买

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。特征：在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据晶圆直径（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高数量或过程模块8通量每小时ZUI多40个晶圆处理系统4个装载口特征：多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现ZUI高吞吐量光学边缘对准模块：Xmax/Ymax=18µm3σ ComBond键合机值得买