单晶炉红外热像仪

nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。红外热像仪是否可以用于医学诊断和疾病筛查？单晶炉红外热像仪

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红外热像仪与普通相机有何不同？单晶炉红外热像仪

    红外(Infrared,IR)波是指波长在，它在大自然的电磁波谱里处在可见光与微波之间。由于IR在电磁波谱中涵盖的波长范围很宽，人们通常按波长将它分成５个子波段，分别为：近红外(near-IR,NIR)、中红外(mid-IR,MIR)、长波红外(long-wavelengthIR,LWIR)、甚长波红外(very-long-wavelengthIR,VLWIR)以及远红外(far-IR,FIR)，它们所对应的波长范围如下表所示：一、IR红外探测器分类根据探测机理的不同，IR探测器可分为两大类，分别是光子探测器和热探测器，下图所示：在吸收IR波后，热探测材料的温度、电阻率、电动势以及自发极化强度等会产生明显的波动，根据这些波动可探测目标物体向外辐射IR的能量。热探测器的响应速度普遍比光子探测器低，因此在大规模FPA探测器的发展方面不如光子探测器乐观，但热探测器制造成本低廉、使用便利，这使它们在民用市场大受欢迎与光子探测器不同，热探测器的响应光谱较为平坦，不存在峰值波长，其探测率不随波长变化而变化，如图所示。 单晶炉红外热像仪