吉林纳米压印现场服务
EVG ® 7200 LA特征：
专有SmartNIL ®技术，提供了****的印迹形大面积
经过验证的技术，具有出色的复制保真度和均匀性
多次使用的聚合物工作印模技术可延长母版使用寿命并节省大量成本
强大且精确可控的处理
与所有市售的压印材料兼容
EVG ® 7200 LA技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：直径200毫米（比较大Gen3）（550 x 650毫米）
解析度：40 nm-10 µm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率窄带（> 400 mW /cm²）
对准：可选的光学对准：≤±15 µm
自动分离：支持的
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
纳米压印是一种用于大规模制造微米级和纳米级结构的低成本的技术，大批量替代光刻技术。吉林纳米压印现场服务
HERCULES ® NIL特征：
全自动UV-NIL压印和低力剥离
**多300毫米的基材
完全模块化的平台，具有多达八个可交换过程模块（压印和预处理）
200毫米/ 300毫米桥接工具能力
全区域烙印覆盖
批量生产**小40 nm或更小的结构
支持各种结构尺寸和形状，包括3D
适用于高地形（粗糙）表面
*分辨率取决于过程和模板
HERCULES ® NIL技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：100至200毫米/ 200和300毫米
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率LED（i线）> 400 mW /cm²
对准：≤±3微米
自动分离：支持的
前处理：提供所有预处理模块
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
江西纳米压印实际价格EVG高达300 mm的高精度聚合物透镜成型和堆叠设备支持晶圆级光学（WLO）的制造。
曲面基底上的纳米结构在许多领域都有着重要应用，例如仿生学、柔性电子学和光学器件等。传统的纳米压印技术通常采用刚性模板，可以实现亚10nm的分辨率，但是模板不能弯折，无法在曲面基底上压印制备纳米结构。而采用弹性模板的软压印技术可以在无外界提供压力下与曲面保形接触，实现结构在非平面基底上的压印复制，但是由于弹性模板的杨氏模量较低，所以压印结构的分辨率和精度都受到限制。基于目前纳米压印的发展现状，结合传统的纳米压印技术和软压印技术，中国科学院光电技术研究所团队发展了一种基于紫外光固化巯基-烯材料的亚100nm分辨率的复合软压印模板的制备方法，该模板包含刚性结构层和弹性基底层。（来自网络，侵权请联系我们进行删除，谢谢！）
EVG ® 620 NT是智能NIL ® UV纳米压印光刻系统。
用UV纳米压印能力为特色的EVG's专有SmartNIL通用掩模对准系统®技术，在100毫米范围内。
EVG620 NT以其灵活性和可靠性而闻名，它以**小的占位面积提供了***的掩模对准技术。操作员友好型软件，**短的掩模和模具更换时间以及有效的全球服务支持使它们成为任何研发环境（半自动批量生产）的理想解决方案。该工具支持多种标准光刻工艺，例如真空，软，硬和接近曝光模式，以及背面对准选项。此外，该系统还为多功能配置提供了附加功能，包括键对准和纳米压印光刻。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。
EVG紫外光纳米压印系统还有：EVG®7200LA，HERCULES®NIL，EVG®770，IQAligner®等。
EVG ® 6200 NT是SmartNIL
UV纳米压印光刻系统。
用UV纳米压印能力设有EVG's专有SmartNIL通用掩模对准系统®技术范围达150m。这些系统以其自动化的灵活性和可靠性而著称，以**小的占地面积提供了**
新的掩模对准技术。操作员友好型软件，**短的掩模和工具更换时间以及高 效的全球服务和支持使它们成为任何研发环境（半自动批量生产）的理想解决方案。该工具支持多种标准光刻工艺，例如真空，软，硬和接近曝光模式，并且可以选择背面对准。此外，该系统还为多功能配置提供了附加功能，包括键对准和纳米压印光刻。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。
EVG先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求，因此使其成为大学和研发应用程序的理想选择。江西纳米压印实际价格
SmartNIL的主要技术是可以提供低至40 nm或更小的出色的共形烙印结果。吉林纳米压印现场服务
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅**简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。吉林纳米压印现场服务
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