多功能电子元器件采购

2月19日从中国科获悉，近日，中国科国家示范性微电子学院程林教授课题组在全集成隔离电源芯片设计领域取得重要成果。研究者提出了一种基于玻璃扇出型晶圆级封装（FOWLP）的全集成隔离电源芯片。所提出的架构通过在单个玻璃衬底上利用三层再布线层（RDL）实现了高性能微型变压器的绕制，并完成与发射和接收芯片的互联，有效地提高了芯片转换效率和功率密度，为今后隔离电源芯片的设计提供一个好的解决方案。受情况影响，会议于2021年2月13日至22日在线上举行，该成果还被入选在该会议上进行DEMO演示。电子元件寻找替代不方便，上用芯盒子，一站式查询。多功能电子元器件采购

量子电脑又有好玩家落埸，这次是富士通。这家日本的科技巨头近宣布会与理化学研究院（RIKEN）合作，在后者现有的高级超导量子计算技术研究基础上，在未来几年内打造出一套拥有1000量子位（qubits）的量子电脑。在富士通以及RIKEN发出的联合声明中，富士通表示这次的研究将会在好的RIKENRQC-富士通合作中心内进行。富士通及理化学研究院之间的超导量子计算合作研究早在2020年10月份已经公布，这次好的合作中心是这个合作研究的好延伸部分。三星电子元器件特点用芯盒子上，每一位客户都问题都能得到用心解决。

日经好闻23日报导，Canon等3家日本企业将和产业技术总合研究所(以下简称产总研)合作、携手研发次世代半导体，而日本经济产业省将提供约420亿日圆的资金援助，且将和台积电等海外厂商建构合作体制，期望借此重振日本处于落后的进步半导体的研发。据报导，除Canon外，将和产总研合作的企业还有东京威力科创(TokyoElectron)和SCREENSemiconductorSolutions，该获得经产省资金援助的研发团队目标在2020年代中期确立2nm以后的次世代半导体的制造技术，将设立测试产线，研发细微电路的加工、洗净等制造技术，且将和台积电、英特尔(Intel)等海外半导体厂商从事广范围的意见交换来进行研发。

传统半导体工艺在高电压电流应用中常暴露很多缺陷，如之一代半导体材料硅，其硅基功率MOSFET和IGBT在电压于900V时，转换效率、开关频率和工作温度受到限制，无法实现更功率。碳化硅(SiC)材料恰恰解决了这个问题，因其禁带宽度、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等物理性能让碳化硅器件在高温、高压、高频和功率电子器件领域中有着不可替代的优势。碳化硅材料作为第三代半导体材料之一，可用于制作功率器件，推动了功率半导体行业的迅速发展。据Yole预测，未来碳化硅器件的应用将会更加，市场的发展也会更加迅速。如果想要查询国产替代方案，建议上用芯盒子官网。

传出德州停电将对NANDFlash供给产生影响，不过，法人机构表示，事实上内存为战略投资产品，三星在海外投资很谨慎，据三星生产基地分布来看，SamsungDRAM全部在韩国本土生产，NANDFlash则有70%在韩国生产，25%以上在中国生产，其中华城Fab13、Fab15为DRAM生产工厂，华城Fab12和中国西安一期生产NANDFlash，华城Fab16、Fab17、平泽P1以及正在好建的P2为NANDFlash和DRAM混合工厂，因此德州奥斯汀停电对三星内存供给的影响是有限。另一个值得注意的有趣点是IP业务与半导体业务（减去内存业务，DRAM和闪存）相比所占的百分比。当半导体（较少内存）市场从3020亿美元增长到3220美元时，即提升了6.8％后，IP市场增长了16.7％，几乎比半导体市场多10％。使用用芯盒子查询，方便又快捷。国际电子元器件技术

国内已经有多家企业入驻用芯盒子。多功能电子元器件采购

以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为表示的第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、功率等优势，相比硅器件可降50%以上的能量损失，并减小75%以上的装备体积，是助力社会节能减排并实现“碳中和”目标的重要发展方向。“碳中和”趋势浪潮下，可提升能源转换效率的第三代半导体产业正在开启发展加速度，有望成为绿色经济的中流砥柱。目前，第三代半导体的触角已延伸至数据中心、好能源汽车等多个关键领域，整个行业渐入佳境，未来可期。多功能电子元器件采购

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