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据路透社报道，印度两名官员说，该国正向每家在印度设立生产单位的半导体公司提供超过10亿美元的现金，这是因为印度力求在智能手机组装行业立足，并加强其电子供应链。纳伦德拉·莫迪（NarendraModi）的“印度制造”计划使印度成为次于中国的全球第二移动电话制造商。好德里认为，现在是芯片公司在该国成立的时候了。一位高级官员对路透社说：“将向每家将设立芯片制造部门的公司提供超过10亿美元的现金奖励，”他因未获得与媒体讲话的授权而拒绝透露姓名。“我们向他们保证，将成为买家，并且在私人市场上还将有强制性规定（供公司购买本地制造的芯片）。”半导体国产化已经开始，如果想查询国产替代方案，用芯盒子就不错。小轿车电子元器件分类

AppleInsider报道称，非执业实体FutureLinkSystems，LLC于本周二在德克萨斯州西区地方法院向苹果提起了侵权诉讼，宣称苹果的A系列和M系列芯片侵犯了该公司的四项**。据悉，这几项**与“电子电路的改进”有关，包括M1和A14Bionic在内的多款型号都在列。原告方在诉状中称，其早在2018年4月就向苹果致函通报了专利侵权。双方于5月份举行了会议，但同年晚些时候，苹果还是对这些**提出了并未侵权的观点。原告补充道，即使来回沟通多次，苹果“仍拒绝讨论有关专利许可的适当条款”，涉及的美国专利号包括6,317,804、6,622,108、6,807,505、以及7,917,680。北京通用 电子元器件查询在用芯盒子上查询，比很多网站都方便清晰。

传统半导体工艺在高电压电流应用中常暴露很多缺陷，如之一代半导体材料硅，其硅基功率MOSFET和IGBT在电压于900V时，转换效率、开关频率和工作温度受到限制，无法实现更功率。碳化硅(SiC)材料恰恰解决了这个问题，因其禁带宽度、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等物理性能让碳化硅器件在高温、高压、高频和功率电子器件领域中有着不可替代的优势。碳化硅材料作为第三代半导体材料之一，可用于制作功率器件，推动了功率半导体行业的迅速发展。据Yole预测，未来碳化硅器件的应用将会更加，市场的发展也会更加迅速。

根据应用材料公司（AMAT）在2月18日（美国时间）公布的2021年之一季度（2020年11月至2021年1月）的财务业绩，销售额同比增长24％至51.6亿美元，超出了预期。按半导体类别的销售额来看，闪存增长了86％，DRAM增长了43％，逻辑代工厂增长了8％。到上个季度，对代工厂的投资已经如期进行，并且存储器投资在本季度恢复并实现了根本性的飞跃。预计在日本，美国和韩国将继续进行内存投资。因此，2021年第二季度（2021年2月至4月）的前景也看好，同比增长36％，环比增长4％，至53.9亿美元±2亿美元。查找国产替代芯片，就上用芯盒子。

第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。与之一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势，特别适用于5G射频和高压功率器件。据集邦咨询（TrendForce）指出，因情况趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源等需求逐步提升，预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。各大半导体行业都想要入驻用芯盒子，早入驻早享受。吉林常规电子元器件

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传出德州停电将对NANDFlash供给产生影响，不过，法人机构表示，事实上内存为战略投资产品，三星在海外投资很谨慎，据三星生产基地分布来看，SamsungDRAM全部在韩国本土生产，NANDFlash则有70%在韩国生产，25%以上在中国生产，其中华城Fab13、Fab15为DRAM生产工厂，华城Fab12和中国西安一期生产NANDFlash，华城Fab16、Fab17、平泽P1以及正在好建的P2为NANDFlash和DRAM混合工厂，因此德州奥斯汀停电对三星内存供给的影响是有限。另一个值得注意的有趣点是IP业务与半导体业务（减去内存业务，DRAM和闪存）相比所占的百分比。当半导体（较少内存）市场从3020亿美元增长到3220美元时，即提升了6.8％后，IP市场增长了16.7％，几乎比半导体市场多10％。小轿车电子元器件分类

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