上海蓝光激光二极管产地

激光二极管------红外激光700nm-940nm

     红外激光二极管是指可在一个频率上产生相干红外光束的半导体二极管，通常是由砷化镓(gaas)或掺杂有铟和铝之类其他材料的砷化镓制成。它能有效节能，具有稳定、可靠的特性，提供市场上高质量和激光器的性能。

     红外激光二极管根据激光的发射原理及产生过程的特殊性决定了激光具有普通光所不具有的特点：即三好（单色性好、相干性好、方向性好）一高（亮度高）。

     红外激光二极管应用：1.人体互动  2.热成像  3.激光探测定位  4.医疗设备  5.激光防伪识别

高能激光器武器成为一种具有直接杀伤力的新型武器。上海蓝光激光二极管产地

激光二极管------红宝石激光器，氦氖激光器红宝石激光：**初的激光器是红宝石被明亮的闪光灯泡所激励，所产生的激光是“脉冲激光”，而非连续稳定的光束。这种激光器产生的光束质量和我们现在使用的激光二极管产生的激光有本质的区别。这种**持续几纳秒的强光发射非常适合捕捉容易移动的物体，例如拍摄全息的人物肖像画，***幅激光肖像在1967年诞生。红宝石激光器需要昂贵的红宝石而且只能产生短暂的脉冲光。氦氖激光器：1960年科学家AliJavan、WilliamR.BrennetJr.和DonaldHerriot设计了氦氖。这是***台气体激光器，这种激光器是全息摄影师常用的装备。两个优点：1、产生连续激光输出；2、不需要闪光灯泡进行光激励，而用电激励气体。 质量激光二极管参考价导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

    采用激光二极管(ld，laserdiode)作为激光光源的结构光投射模组已经广为使用，然而现有的激光二极管投射模组并非没有缺陷。图1示出了一种常用的激光二极管投射模组的示意性结构图，该投射模组具有外壳1，其激光出射端安装有衍射光学元件2。激光二极管组件3安装在外壳1的内部，其发射的激光通过衍射光学元件2的调制，形成所需的结构光。由于激光二极管产生的激光具有较明显的发散特性，因此通常会在激光二关组件3与衍射光学元件2之间设置用于调节激光光束的会聚特性的额外的光学元件2a，例如准直透镜。激光二极管组件3的引线3a从模组外壳1的另一开口端伸出，用于与外部的驱动电源连接。激光二极管组件3通常采用市场上售卖的带有外壳3b的激光二极管器件。可以看到，现有的激光二极管投射模组集成度低、体积大，从而导致安装和使用不方便等问题。因此，现有的激光二极管投射模组还有待改进。

激光二极管------LD&LED区别

     在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。

     二者在原理、架构、效能上的差别。

  （1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。

  （2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。

  （3）效能上的差别 ：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。

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半导体激光二极管的工作原理，理论上与气体激光器相同。

产生激光的三个条件是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中就是要把价带内的电子抽运到导带。为了获得离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近就出现了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV以上的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗极小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，***物质所发出的受激辐射光在两个反射镜之间来回反射，不断引起新的受激辐射，使其不断被放大。激光在皮肤美容、口腔科、 耳鼻喉科、外科、眼科、神经外科、心血管科等得到了大量的应用。质量激光二极管参考价

低于阈值水平的电流迫使二极管表现为LED，发出非相干光。上海蓝光激光二极管产地

为了使紫外线辐射源更为实用化，半导体紫外二极管发展的一个方向是大幅缩小现有紫外激光器及其电源的体积和功耗，另一个方向是开发发射波长为280nm、功耗小于10mW的发光二极管以及发射波长为340nm、功耗小于25mW的激光二极管。半导体激光二极管以其体积小,重量轻,价格低,寿命长,耗电少及频率可快速调谐等优点,已经在国民经济和一系列高科技领域获得了广泛应用。然而,此种激光器的工作波长与其工作温度、注入电流之间有着强烈的依赖关系,例如,对近红外线半导体激光二极管,工作温度引起的变化约为013nm/K,注入电流引起的变化约为0103nm/mA。同时,工作温度和注入电流的变化还会导致半导体激光二极管输出功率的不稳定。 上海蓝光激光二极管产地

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