海南干式智能滤波补偿电容器改善电能质量

圆柱型滤波电容器，主要用于谐波污染严重的电网中，有针对性地消除谐波，并进行无功功率补偿。充足的绝缘宽裕度设计电容器元件采用低场强全金属化聚丙烯薄膜卷绕式结构。充足的绝缘宽裕度使电容器的过电压承受能力提高了25%,同时产品具有体积小，耗损低等优点。有效的散热结构设计：元件采用铜牌连接，经低电流密度导线压焊后，引出至接线端子，确保了导电连接部位低接触电阻、低损耗、低热量。电容器外壳采用金属全密封干式结构，散热性能优良。可靠的安全保护设计采用内置式放电电阻和过压力保护装置，能可靠地保证操作人员的人身安全和电气设备的运行安全。按制造材料的不同可以分为：瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容，还有先进的聚丙烯电容等等。海南干式智能滤波补偿电容器改善电能质量

    使得操作为上开关电极的第二电极以及操作为下开关电极的电极开始彼此接触。在实施例中，微结构包括金属-绝缘体-金属(mim)电容器，其中第二电极被布置在电介质层的顶表面上。在实施例中，电极顶表面的水平端被保留为未被电介质层覆盖，并且电介质层在电极的顶表面的第二水平端的上方延伸。在实施例中，电介质层的顶表面的水平端被保留为未被第二电极覆盖，并且第二电极延伸至电介质层顶表面的第二水平端。在实施例中，微结构还包括连接元件，被布置在衬底上且被配置为提供以下各项中的至少一项：连接元件，被配置为提供到电极的顶表面的水平端的连接；以及第二连接元件，被配置为提供到第二电极的第二水平端的连接；第二电极的第二水平端与电介质层的顶表面的第二水平端邻近。根据本发明的第二示例方面，提供一种形成微结构的方法，该方法包括：提供衬底，具有顶表面；形成电极，具有与衬底的顶表面平行的水平定向，其中电极被嵌入在衬底内，使得电极的顶表面与衬底的顶表面一致；在电极顶表面上形成电介质层；以及在电介质层上方形成第二电极。根据本发明的第三示例方面，提供一种半导体装置，包括根据方面的微结构。在实施例中，半导体装置包括集成无源器件(ipd)。安徽超级电解电容器智能化&泛在物联网小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、聚苯乙烯电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

    厚的底电极120被制造到衬底110中并且然后被平坦化。这允许光滑的表面121以用于下一个工艺步骤。在提供电极120的金属层之后生长电介质层140。必要时电介质层140可以被图案化。在电介质层140之上，生长第二电极130的金属层。该多目的技术适合于多个rf应用和从超高频(vhf)到毫米波的多个频率。例如，半导体装置300还可以包括薄膜电阻器，和在不同金属层之间的ipd组件。在实施例中，可以形成至少一个在电极120、130的至少一个金属层的表面上延伸的阻挡层。阻挡层可以包括低压化学气相沉积氮化物(lpcvdsin)或等离子体增强的化学气相沉积氮化物(pecvdsin)。例如，电介质层140可以包括原子层沉积(ald)生长的氧化铝层或等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)层，诸如正硅酸乙酯(teos)。衬底可以包括硅衬底层110。在实施例中，连接元件310、311可以包括导电焊盘，其可以被用于使至少一个金属层互连。也可以布置连接到半导体装置的集成无源器件(ipd)的连接。例如，半导体装置的金属层焊盘310、311可以被耦合到集成无源器件(ipd)端子上。电介质层140可以影响微结构300的rf性能。在实施例中，不同的绝缘体沉积方法可以被用于产生不同的rf性能。例如。

    本实用新型涉及电子元件技术领域，具体地说，涉及一种直插型铝电解电容器。背景技术：电容器通常叫做电容，是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时，其中铝电解电容器是使用**、低价的电解电容。铝电解电容器在安装时通常是使用机器对铝电解电容器进行夹取后直接将铝电解电容器上的引脚插入到电路板上的安装孔中，由于铝电解电容器大多呈圆柱体，导致铝电解电容器在被夹取时引脚的位置并不是固定的，使得引脚因没有和电路板上安装孔的位置对齐而使引脚抵在电路板上产生折弯现象并导致该铝电解电容器主体的报废。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种直插型铝电解电容器，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种直插型铝电解电容器，包括铝电解电容器主体，所述铝电解电容器主体的底端设有一对引脚，所述铝电解电容器主体顶端面的边缘处开设有呈下凹状的环槽，两个所述引脚插接在定位装置上，所述定位装置包括和所述铝电解电容器主体底端相贴合的兜条、位于所述兜条的左右两端的侧条以及一体成型在所述侧条侧端的定位凸条。滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。

    本申请大体上涉及微结构、制造技术和半导体装置。特别地，但非排他地，本申请涉及微机电系统(mems)结构、集成无源器件(ipd)、开关电容器、金属-绝缘体-金属(mim)电容器和微机电系统(mems)开关。背景技术：本章节说明了有用的背景信息，但未示出本文中描述的、表示现有技术的任何技术。利用微机电系统(mems)技术制造的组件正在被并入日益增长的许多消费者应用中，这些应用包括，但不限于，汽车电子、医疗仪器、智能电话、硬盘驱动器、计算机**设备和无线设备。mems技术涉及使用微制造技术来形成小型化机电设备和结构。mems设备通常具有某种形式的机械功能，通常是以至少一个活动结构的形式。结构可以通过一系列的工艺步骤被形成在适当的衬底上，这些工艺步骤包括被影印平板印刷地遮蔽和刻蚀的薄膜沉积。例如，mems机械元件、传感器和致动器可以被集成在具有互补金属氧化物半导体(cmos)器件的普通衬底上。集成无源器件(ipd)技术是用于在低损耗衬底中实现***因子(q)无源的方式。将大部分无源组件组合到ipd并且然后将基于ipd的模块集成到子系统，这使高性能、高集成度和较低的组装成本成为可能。特别是需要高q电感器的rf前端模块和组件有利于集成到ipd。使电容器带电(储存电荷和电能)的过程称为充电。山西电力电容器无功补偿谐波治理

电容器必须在外加电压的作用下才能储存电荷。海南干式智能滤波补偿电容器改善电能质量

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