连云港PS025V-504-LI2UPN8X-H1141图尔克传感器

电感式压力传感器电感式压力传感器是用电感线圈电感量变化来测量压力的仪表。常见的有气隙式和差动变压器式两种结构形式。气隙式的工作原理是被测压力作用在膜片上使之产生位移，引起差动电感线圈的磁路磁阻发生变化，这时膜片距磁心的气隙一边增加，另一边减少，电感量则一边减少.另一边增加，由此构成电感差动变化，通过电感组成的电桥输出一个与被测压力相对应的交流电压。具有体积小、结构简单等优点，适宜在有振动或冲击的环境中使用。差动变压器式的工作原理是被侧压力作用在弹簧管_L，使之产生与压力成正比的位移，同时带动连接在弹簧管末端的铁心移动，使差动变压器的两个对称的和反向串接的次级绕组失去平衡，输出一个与被测压力成正比的电压.也可以输出标准电流信号与电动单元组合仪表联用构成自动控制系统。 在很多压力控制过程中,经常需要采集压力信号, 转换成能够进行自动化控制的电信号。连云港PS025V-504-LI2UPN8X-H1141图尔克传感器

外光电效应器件 利用物质在光的照射下发射电子的外光电效应而制成的光电器件，一般都是真空的或充气的光电器件，如光电管和光电倍增管。以光电管为例，当入射光照射在阴极上时，单个光子把它的全部能量传递给阴极材料中的一个自由电子，从而使自由电子的能量增加。当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功时，它就可以克服金属表面束缚而逸出，形成电子发射，这种电子称为光电子。 只有当入射光的频率高于极限频率时，才会产生光电子。 NI4-M12E-RP6X-H1141图尔克传感器技术支持光电传感器是一种小型电子设备，各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件。

流体类型流体分为液体、气体、蒸汽。有些传感器（如电磁式）不能测气体；插入热式则不能测液体。温度、压力、密度它们是选择传感器提供的重要参数，特别是在工况下的参数，对于气体流量还应了解其体积流量是工作状态，还是标准状态。粘性液体粘性相差较大会影响选型，如粘性大的液体宜用容积式流量传感器，而不宜选用涡轮、浮子、涡街等流量传感器。腐蚀、结垢、脏污对于这类流体，不宜选用有转动件及有检测件的传感器。即使对于超声、电磁式流量传感器，也会因腐蚀管道带来误差。如口径50MM，结垢0.5～1MM，将带来0.5～1%的误差。

一般普通压力传感器的输出为模拟信号，远距离输出信号电压会衰减，应采用电流信号输出。经压力变送器将电流放大后可以输出20mA以下的电流信号。这样，价格就成倍增加。所以，选择的输出类型依赖于您的传感器与系统控制或者显示部件之间的距离，噪音，以及其他电气干扰，还有是否需要放大，比较好放置放大器的位置等。另外，只有经过A/D和V/F变换后才能得到数字信号和频率信号。恒流源和恒压源都是通常传感器采用的两种激励源。两种激励方法是有区别的，其作用不同。恒流源激励有利于热灵敏度漂移的补偿作用。输出的类型可能就决定了需要的激励电压。许多放大式传感器都有内置的电压调节器，可以在很大范围的未调节电压源下工作。有些传感器是有比例的，需要已调节的激励源。所使用的电源将会决定您是使用已调节电源还是未调节电源。这需要在系统成本和所有激励源之间作出折中的选择。

压力传感器可以用电池供电，但更普遍的是采用直流稳压电源技术。 我们要根据环境条件，应用工况、安装条件等要素，对传感器的选型进行合理选择。

      1、数字式温度传感器   它采用硅工艺生产的数字式温度传感器，其采用PTAT结构，这种半导体结构具有精确的，与温度相关的良好输出特性。

      2、逻辑输出温度传感器 在许多应用中，我们并不需要严格测量温度值，只关心温度是否超出了一个设定范围，一旦温度超出所规定的范围，则发出报警信号，启动或关闭风扇、空调、加热器或其它控制设备，此时可选用逻辑输出式温度传感器

      3、模拟式温度传感器模拟温度传感器，如热电偶、热敏电阻和RTDS对温度的监控，在一些温度范围内线性不好，需要进行冷端补偿或引线补偿；热惯性大，响应时间慢。集成模拟温度传感器与之相比，具有灵敏度高、线性度好、响应速度快等优点，而且它还将驱动电路、信号处理电路以及必要的逻辑控制电路集成在单片IC上，有实际尺寸小、使用方便等优点。常见的模拟温度传感器有LM3911、LM335、LM45、AD22103电压输出型、AD590电流输出型。 被测量对光通路产生作用，从而影响到达光电器件的光量的变化。江苏O1D100易福门传感器

易腐蚀工作环境，腐蚀性工况一般指的是环境条件腐蚀性和应用工况的腐蚀性。连云港PS025V-504-LI2UPN8X-H1141图尔克传感器

光生伏***应简称光伏效应，指的是物体在受到光照之后产生电动势的现象。光电池是一种自发电式的光电元件，它受到光照时自身能产生一定方向的电动势，在不加电源的情况下，只要接通外电路，便有电流通过。具体的工作原理如下：光伏电池在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型杂质而形成的一个大面积PN结，P区有大量的空穴，N区有大量的电子。当光照射P区表面时，若光子能量大于硅的禁带宽度，则在P型区内每吸收一个光子便产生一个电子—空穴对，P区表面吸收的光子越多，激发的电子空穴越多，越向PN结区越少。由于PN结内电场的方向是由N区指向P区的，它使扩散到PN结附近的电子—空穴对分离，光生电子被推向N区，光生空穴被留在P区。从而使N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。若用导线连接P区和N区，电路中就有光电流流过。连云港PS025V-504-LI2UPN8X-H1141图尔克传感器