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2013~2017年，长川科技营收实现了由4,341万元到，复合增速达。2017年，归属母公司净利润由992万元增长至5,025万元，复合增速达。中微半导体成立于2004年，是一家微加工设备公司，经营范围包括研发薄膜制造设备和等离子体刻蚀设备、大面积显示屏设备等。该公司管理层技术底蕴深厚，大多有任职于应用材料、LAM和英特尔等全球半导体前列企业的经验。中微半导体先后承担并圆满完成65-45纳米、32-22纳米、22-14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化。公司自主研发的等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE可用于加工64/45/28纳米氧化硅、氮化硅等电介质材料，介质刻蚀设备PrimoAD-RIE可用于22nm及以下芯片加工，均已进入国内先进产线。中微半导体的介质刻蚀机已经完成了5nm的生产。晶盛机电是一家专业从事半导体、光伏设备研发及制造的****，是国内技术的晶体硅生长设备供应商。该公司专注于拥有自主品牌的晶体硅生长设备及其控制系统的研发、制造和销售，先后开发出拥有完全自主知识产权的直拉式全自动晶体生长炉、铸锭多晶炉产品。该公司立足于“提高光电转化效率、降低发电成本”的光伏技术路线。 半导体设备中晶圆加工设备价值占比超过 80%，其余为封装和测试设备。在晶圆加工设备中， 光刻机、刻蚀机。英国实力的半导体设备进口报关哪家好

总体空间:我国已具备整线供应能力太阳能光伏设备主要包括硅棒/硅锭制造设备、硅片/硅晶圆制造设备、电池片制造设备、晶体硅电池组件制造设备、薄膜组件制造设备，其中，硅材料与电池/组件制造设备价值占比较高。我国已具备太阳能电池制造整线供应能力，光伏设备国产化率达到90%左右，其中，单晶炉、硅棒切断机、硅片清洗机、甩干机、扩散炉等设备已完成进口替代。全球市场规模:近年来全球光伏设备行业实现稳健增长。在历经多年高增长后，2012年全球光伏设备行业销售规模出现断崖式下滑，从上年同期的130亿美元下探至36亿美元，同比下降。2013年以来，行业自低位稳健复苏，截止至2018年，全球光伏设备实现销售收入48亿美元，较上年同期增长。国内市场规模:国内光伏设备行业有望加速增长。回顾2018年，上半年行业维持2017年以来的高速增长态势，受“531”新政影响，下半年放缓的增速对全年有一定拖累。整体来看，2018年国内光伏设备行业实现营业收入，同比增长，主要受益于硅棒/硅片环节的单晶产能升级，电池片环节的PERC产能升级。预计至2020年，我国光伏设备销售规模有望达到95亿元。竞争格局:光伏设备国产化率已突破90%，企业具备全球性竞争力。 荷兰半导体设备进口报关诚信推荐进口半导体设备报关物流服务、气垫车进口报关代理、恒温气垫车清关代理。

    硅晶圆包括抛光片/退火片/外延片/节隔离片/绝缘体上硅片。其中:抛光片用量比较大，为其他硅片产品二次加工的基础材料。?外延生长具有单晶薄膜的衬底晶片称为外延片。抛光片用氢气/氩气通过加热处理后结晶品质进一步提升称为退火片。绝缘体上硅指某绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜或单晶硅薄膜被某绝缘层(如SiO2)从支撑的硅衬底中分开，即实现制造器件的薄膜材料与衬底材料完全分离。2、硅应用:电子级多晶硅应用于集成电路产业多晶硅材料根据纯度的不同，分为电子级多晶硅、太阳能电池级多晶硅、冶金级多晶硅。其中，电子级多晶硅的纯度要求为99.%(11个9)、太阳能电池级多晶硅要求为(6个9)，划分电子级太阳能级多晶硅与否的标准为硼与磷杂质的含量。电子级多晶硅主要应用于芯片制造以及可控硅等。应用方面，冶金级多晶硅用于制取高纯多晶硅;太阳能电池级多晶硅应用于光伏产业，消耗量占多晶硅总量约95%以上。电子级多晶硅应用于集成电路产业，下游覆盖计算机、通信、汽车电子、物联网、消费电子等，为电子设备的构成。单晶硅生长方包括直拉法与区熔法。晶体生长指将多晶块转变为单晶，并给予正确的定向与适量的N型/P型掺杂。直拉法:单晶硅生长的主要方法。

PERC:与现有常规产线具备较高兼容性钝化发射极和背面(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)电池技术指利用钝化材料对电池背面进行钝化，从而克服了常规电池背表面光学和电学损失，电池转换效率获得有效提升。目前，PERC已成为主流高效电池技术。PERC技术与常规电池产线具备较高兼容性，增加两道额外工序，分别为:(a)背面钝化层的沉积;(b)激光开槽。背钝化设备为PERC电池技术的关键生产设备。目前，PERC电池钝化膜沉积主要使用两种方法，分别为等离子化学气相沉积法(PECVD)与原子层沉积法(ALD)，其中PECVD占比约九成。根据设备形态的不同，PECVD沉积设备可分为板式PECVD与管式PECVD;ALD沉积设备可分为管式ALD、板式ALD、单片ALD。PECVD沉积设备与ALD沉积设备各有优势。其中，PECVD优势主要体现为一次性沉积氧化铝与氮化硅，硅片上下料工序有所减少，生产具备连续性;ALD优势主要体现为氧化铝结构缺陷小，膜厚可控(相对较薄)。竞争格局:根据设备形态划分，背钝化设备供应商主要包括:板式PECVD:海外供应商主要为MeyerBurger公司的MAIA;管式PECVD:海外供应商主要为Centrotherm公司等;国内包括无锡松煜、深圳捷佳伟创等。 半导体设备后道封装测试设备进口清关服务公司。

化学机械抛光设备化学机械抛光(CMP)是指圆片表面材料与研磨液发生化学反应时，在研磨头下压力的作用下进行抛光，使圆片表面平坦化的过程。圆片表面材料包括多晶硅、二氧化硅、金属钨、金属铜等，与之相对应的是不同种类的研磨液。化学机械抛光能够将整个圆片高低起伏的表面研磨成一致的厚度，是一种圆片全局性的平坦化工艺。CMP工艺在芯片制造中的应用包括浅沟槽隔离平坦化(STICMP)、多晶硅平坦化(PolyCMP)、层间介质平坦化(ILDCMP)、金属间介质平坦化(IMDCMP)、铜互连平坦化(CuCMP)。CMP设备主要分为两部分，即抛光部分和清洗部分。抛光部分由4部分组成，即3个抛光转盘和一个圆片装卸载模块。清洗部分负责圆片的清洗和甩干，实现圆片的“干进干出”。CMP设备主要生产商有美国AMAT和日本Ebara，其中AMAT约占CMP设备市场60%的份额，Ebara约占20%的份额。国内CMP设备的主要研发单位有天津华海清科和中电科45所，其中华海清科的抛光机已在中芯国际生产线上试用。、电镀设备电镀是指在集成电路制造过程中，用于加工芯片之间互连金属线所采用的电化学金属沉积。随着集成电路制造工艺的不断发展，目前电镀已经不限于铜线的沉积，还涉及锡、锡银合金、镍等金属的沉+积。 常见一般机电设备有：机床设备、仪器设备、半导体设备、加工中心、冲床、铣床、光伏设备、磨床等各种设备。加拿大服务好的半导体设备进口报关哪家好

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获取报告请登录未来智库。，MOCVD实现国产替代公司深耕刻蚀设备，技术比肩国际巨头。中微公司成立于2004年，前身为中微有限。公司主营业务为半导体等离子刻蚀设备（Etch）和用于LED的金属气相沉积设备（MOCVD），刻蚀设备方面，公司自成立以来便着手开发等离子刻蚀设备，目前已涵盖CCP、ICP和深硅刻蚀三大领域，刻蚀设备已在海内外前列客户芯片生产线进行65纳米到5纳米工艺的芯片加工制造。由于公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产，美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。CCP刻蚀设备：自成立伊始公司就着手开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE（CCP刻蚀设备），到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE、双反应台PrimoAD-RIE和单反应台PrimoSSCAD-RIE三代刻蚀设备，以及用于存储芯片的PrimoHD-RIE，涵盖65-5纳米微观器件的众多刻蚀应用。ICP刻蚀设备：2012年公司开发电感性等离子体刻蚀设备（ICP刻蚀设备），2018年发布代电感耦合等离子体刻蚀设备Primonanova，该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀（STI）、多晶硅栅极刻蚀；同时可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀。 英国实力的半导体设备进口报关哪家好

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