INOS免疫荧光IF

免疫荧光实验步骤：1.样本准备：细胞或薄组织。对单层生长细胞，在传代培养时，将细胞接种到预先放置有处理过的盖玻片的培养皿中，待细胞接近长成单层后取出盖玻片，PBS洗两次；对悬浮生长细胞，取对数生长细胞，用PBS离心洗涤（1000rpm,5min）2次，用细胞离心甩片机制备细胞片或直接制备细胞涂片。2.固定：取适当的固定剂固定样本。一般用4%PFA固定4℃过夜。固定完毕后的样本可置于含叠氮纳的PBS中4℃保存3个月。3.洗涤：PBS洗涤5min*3次。4.打孔：选择合适的通透剂处理样本，目的是使抗体更容易进入细胞与抗原结合。在1941年，Coons初次成功地使用荧光素作为标记物质进行免疫荧光实验。INOS免疫荧光IF

基于荧光成像的技术对于查询细胞和组织的结构和功能方面非常有用。当与免疫化学结合时，荧光成像技术的分析能力增加，增强了这种技术在普遍的研究和临床应用中的实用性，使其成为宝贵的工具。免疫荧光显微镜通过使活细胞成像能够可视化整个细胞器，彻底改变了细胞生物学领域。免疫组织化学和免疫细胞化学是结合抗原抗体结合能力进行细胞分析的常用荧光成像技术。免疫荧光（IF）是一种强大的免疫染色技术，利用显微镜观察与靶蛋白和其他目标分子结合的荧光素标记抗体。免疫荧光用于鉴定细胞中的细胞和组织特异性抗原；可视化蛋白质的存在与否、细胞定位和活化状态；并分析免疫反应。bcl-2免疫检测荧光抗体技术可以用于检测和定位细胞或组织中的特定抗原物质。

直接免疫荧光：单抗体（一抗）用于免疫染色和检测目标蛋白。荧光素结合的一抗直接与目标抗原结合，并使用成像显微镜观察。直接免疫荧光的优点：由于无需为两种抗体选择不同的物种反应性，从而降低了物种交叉反应性问题。与间接免疫荧光相比，时间缩短（操作步骤减少）。直接免疫荧光的缺点：不允许通过二抗进行信号放大；检测灵敏度降低；荧光素结合一抗的选择有限；与使用荧光二抗的检测相比，更昂贵。间接免疫荧光：使用两种抗体（一抗和二抗）进行免疫染色并检测目标蛋白。首先，用特异性一抗标记目标蛋白。然后，荧光素结合的二抗（与一抗具有不同的物种反应性）识别结合的抗原-抗体复合物并与一抗结合。由于一个以上的二抗可以与一抗结合，荧光信号被放大，提供了更高的检测灵敏度。

细胞免疫荧光可以观察蛋白在细胞中的定位，以及一些特殊信号分子蛋白的出核/入核的定位变化。在进行细胞免疫荧光过程中，需要用到细胞爬片，通过将爬片浸在细胞培养基内，细胞在爬片上生长，进而进行细胞的免疫荧光。实验前准备：1.胰酶;2.DMEM细胞培养基;3.细胞培养12孔板或者6孔板;4.爬片。间接免疫荧光的优点：通过增加能够与一抗结合的二抗数量进行信号放大；与直接免疫荧光相比，通过信号放大提高检测灵敏度。免疫荧光技术是一种以荧光素标记抗体来定位抗原物质的高度发达的标记免疫技术。免疫荧光技术可以用于研究遗传疾病和基因表达调控。

免疫荧光技术又称荧光抗体技术，是标记免疫技术中发展较早的一种。它是在免疫学、生物化学和显微镜技术的基础上建立起来的一项技术。很早以来就有一些学者试图将抗体分子与一些示踪物质结合，利用抗原抗体反应进行组织或细胞内抗原物质的定位。免疫荧光技术是标记免疫技术中发展较早的一种．它是在免疫学、生物化学和显微镜技术的基础上建立起来的一项技术。Coons等于1941年初次采用荧光素进行标记抗体获得成功。经过几十年的发展，该技术已相当成熟。用荧光抗体示踪或检查相应抗原的方法称荧光抗体法；用已知的荧光抗原标记物示踪或检查相应抗体的方法称荧光抗原法。这两种方法总称免疫荧光技术。在实际工作中荧光抗原技术很少应用，所以人们习惯将荧光抗体技术称为免疫荧光技术在实际工作中，荧光抗原技术应用较少，因此通常将其称为荧光抗体技术或免疫荧光技术。VWF免疫荧光检查

免疫荧光技术利用荧光染料标记的抗体与目标分子结合，从而实现可视化检测。INOS免疫荧光IF

注意:从加荧光二抗起,后面所有操作步骤都尽量在较暗处进行.DAPI复染核:爬片置于PBS（PH7.4）中在脱色摇床上晃动洗涤3次，每次5min。切片稍甩干后在圈内滴加DAPI染液，避光室温孵育10min。封片：爬片置于PBS（PH7.4）中在脱色摇床上晃动洗涤3次，每次5min。玻片稍甩干后用抗荧光淬灭封片剂封片。镜检拍照：切片于荧光显微镜下观察并采集图像。（DAPI紫外激发波长330-380nm，发射波长420nm，发蓝光；FITC激发波长465-495nm，发射波长515-555nm，发绿光；CY3激发波长510-560，发射波长590nm，发红光）。两种抗体同时孵育：由于FIT容易萃灭，因此在孵育抗体时后孵育FITC二抗(孵育二抗一定要避光。INOS免疫荧光IF