上海中性抛光液厂商

抛光液的主要产品可以按主要成分的不同分为以下几大类：金刚石抛光液（多晶金刚石抛光液、单晶金刚石抛光液和纳米金刚石抛光液）、氧化硅抛光液（即CMP抛光液）、氧化铈抛光液、氧化铝抛光液和碳化硅抛光液等几类。 

多晶金刚石抛光液

多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合**散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。

应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。

氧化硅抛光液

氧化硅抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。

用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

氧化铈抛光液

氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。

适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。

氧化铝和碳化硅抛光液

是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。

用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。 多晶金刚石抛光液用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。上海中性抛光液厂商

集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液:一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光,通过本发明的“一步抛光工艺”,单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机,实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈,对抛光液实施分段应用,有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题;以单头抛光机代替多头抛光机,降低了设备成本;同时抛光后表面损伤少、易清洗,抛光液不腐蚀设备、不污染环境。上海中性抛光液厂商氧化铝抛光液含有溶胶氧化铝，可经过朴实的机械抛光来***地去除资料，达到优异的外表处理效果。

蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。

蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用：

1. 外延片生产前衬底的双面研磨：多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道，根据**终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3um、1um不等。

2. LED芯片背面减薄

为解决蓝宝石的散热问题，需要将蓝宝石衬底的厚度减薄，从450nm左右减至100nm左右。主要有两步：先在横向减薄机上，用50-70um的砂轮研磨磨去300um左右的厚度；再用抛光机（秀和、NTS、WEC等）针对不同的研磨盘（锡/铜盘），采用合适的蓝宝石研磨液（水/油性）对芯片背面抛光，从150nm减至100nm左右。

    抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品超过原有的光泽。本产品性能稳定、***，对环境无污染等作用，光液使用方法：包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光；1抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置），2：抛光时间：根据产品的状态来定。3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。这两个概念主要出现在半导体加工过程中，**初的半导体基片抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率。 多晶金刚石 抛光液适用于光学晶体、陶瓷、超硬合金等各种硬质材料的研磨和 抛光。

氧化铝抛光液的酸碱度就是抛光液的pH值，当抛光液的pH值为9.6时，抛光液的机械作用远大于化学作用，去除速率比较大，导致抛光后抛光片表面产生高损伤层，粗糙度比较大。

当抛光液的pH值增大为10.84～11.34时，机械作用和化学作用达到一种对等状态时，此时化学作用的均匀性好，使得表面张力小，质量处理的一致性好，可以得到良好的表面抛光效果。

当pH值大于11.67时，SiO2水溶胶在强碱的作用下，生成易溶于水的硅酸氨，使得硅溶胶中的SiO2颗粒不能起到磨削作用，变成透明的液体，此时机械作用基本失效，抛光以化学作用为主，表面蚀坑增多，使得表面粗糙度重新增加。 本公司销售的纳米抛光液应用范围：催化剂、催化载体、分析试剂。碱性抛光液厂家

氧化铈抛光液用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。上海中性抛光液厂商

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：  （1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。  （2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。  硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。上海中性抛光液厂商

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