EVG805键合机有哪些应用

时间:2020年09月05日 来源:

EVG ® 520 IS晶圆键合机系统

单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产

特色

技术数据

EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。


特征

全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站

兼容EVG机械和光学对准器

单室或双室自动化系统

全自动的键合工艺执行和键合盖移动

集成式冷却站可实现高产量

选项:

高真空能力(1E-6毫巴)

可编程质量流量控制器

集成冷却

技术数据

**/大接触力

10、20、60、100 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:1E-5 mbar


可选:1E-6 mbar


EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。EVG805键合机有哪些应用

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EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


本地键合机可以免税吗晶圆级涂层、封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。

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EVG ® 6200 BA自动键合对准系统

用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产


特色

技术数据

EVG键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。


特征

适用于EVG所有的200 mm键合系统

支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准

手动或电动对中平台,带有自动对中选项

全电动高/分辨率底面显微镜

基于Windows的用户界面

EVG ® 850 DB 自动解键合机系统

全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆

特色

技术数据

在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。


特征

在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片

自动清洗解键合晶圆

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能

模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

高达12英寸的薄膜面积

组态

解键合模块

清洁模块

薄膜裱框机

选件

ID阅读

多种输出格式

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理 晶圆键合机系统 EVG®520 IS,拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能;200 mm的单个或双腔自动化系统。

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EVG320技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯


兆声区域传感器

可选的

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质:不锈钢和蓝宝石


刷的参数

材质:PVA

可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)

可调参数(刷压缩,介质分配)

自动化晶圆处理系统

扫描区域兼容晶圆处理机器人领域 EVG320,使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作,达到**/高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。

可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644) 键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。图像传感器键合机美元价格

EVG键合机的特征有:压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。EVG805键合机有哪些应用

在键合过程中,将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间,加热至752-932℃(华氏400-500摄氏度),和几百到千伏的电势被施加,使得负电极,这就是所谓的阴极,是在接触在玻璃中,正极(阳极)与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动,在与硅片的边界附近留下少量的正电荷,然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移,并在到达边界时与硅反应,形成二氧化硅(SiO 2)。产生的化学键将两个组件密封在一起。EVG805键合机有哪些应用

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