3月10日-12日华东区国际先进陶瓷技术前沿论坛

时间:2024年12月26日 来源:

碳化硅主驱芯片可靠性验证要求极高,需7-8年才能实现从设计到量产。国外厂商技术和产量的优势,并通过车企验证,基本垄断了碳化硅主驱芯片供应端。国内企业尚处于可靠性验证起始阶段,未实现批量供应。国产主驱芯片需克服可靠性验证和批量化生产两大难关,确保大规模供应的同时保证产品品质稳定是行业性难题。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动;第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!行业精英齐聚一堂,为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日中國‌國際先進陶瓷展览会!诚邀您莅临!3月10日-12日华东区国际先进陶瓷技术前沿论坛

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在半导体制造领域,增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片,随着晶圆尺寸增加,边缘管芯(Die)数量占比缩小,晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算,一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片,是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍;边缘管芯占比下降到7%,大幅度提高晶圆利用率,将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!3月10日-12日华东区国际先进陶瓷技术前沿论坛“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆开幕。诚邀您莅临参观!

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碳化硅半导体属于高度技术密集型行业,具有较高的技术、人才、资金、资源和认证壁垒,高度依赖于技术及生产经验。受日益旺盛的需求影响,目前各路资本争相投资,碳化硅产业成为热门赛道。大量资本的涌入加剧了碳化硅的行业竞争。同时,全球碳化硅半导体行业市场集中度较高,市场份额主要被美国、欧洲、日本等國‌家和地区的企业占据,国内企业未来将面临國際先进企业和国内新进入者的双重竞争。若竞争过早进入白热化,会对大批初创科技型碳化硅企业的成长造成致命打击。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!

碳化硅芯片验证周期长,批量生产难度大。碳化硅主驱芯片可靠性验证要求极高,需7-8年才能实现从设计到量产。国外厂商技术和产量的優势,并通过车企验证,基本垄断了碳化硅主驱芯片供应端。国内企业尚处于可靠性验证起始阶段,未实现批量供应。国产主驱芯片需克服可靠性验证和批量化生产两大难关,确保大规模供应的同时保证产品品质稳定是行业性难题。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!“2025中國‌國際先進陶瓷展”为行业精英提供学术研究与应用实践的融合平台,2025年3月10日上海见!

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陶瓷注射成型技术作为一种新兴的精密制造技术,有着其不可比拟的独特优势。成为国内外精密陶瓷零部件中有优势的先進制备技术。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动孕育无限发展商机IACE CHINA 2025将与第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海国际线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会(2025年)展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!深耕行业市场,拓展业务网络,中國‌國際先進陶瓷展,2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观!3月10日-12日华东区国际先进陶瓷技术前沿论坛

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相比硅器件,SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面,SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能,而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时,硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)损耗较高,而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%,整体功率损耗降低66%。导通电阻方面,SiC MOSFET芯片面积则更小,如在900V导通电阻下,硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管,可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高,可达200℃或更高,适用于汽车市场,其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!3月10日-12日华东区国际先进陶瓷技术前沿论坛

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