P-Phos和PhanePhos和BoPhoz哌啶应用现状
乙醛（苯基肼）La与芳族醛和仲胺反应，得到丙兰-1,2-二苯基腙2或芳基氮杂唑7，这取决于所使用的醛的性质。具有磷酸磷（POCL3）和二甲基甲酰胺（DMF）（DMF）（Vilsmeier反应）的La的反应性得到了Cinnolin-3-氨基苯基苯基腙11.化合物La还提供了苯甲酰氯化物处理的Tribendoyl衍生物16。*在乙酸酐中产生二乙酰衍生物17。通过将18与苯二氮酰基氯化物偶联，然后用苯肼制备二苯基腙20。这将其在乙酸中的回流上被溶液中溶液中加入吡唑21。Ala-Glu / IGLN模拟物的设计与合成：假肽的杂环基块。P-Phos和PhanePhos和BoPhoz哌啶应用现状
为了追求单组分有机半导体和金属的封闭壳砌块，研究人员制备了苯并喹啉-1,2,3-噻唑苯唑Qs，一种杂环硒的两性而隙其高占用和低未占用的分子轨道之间。在固态中，QS存在于两个结晶相和一个纳米晶相中。通过在环境温度下的高分辨率粉末X射线衍射方法和升高的压力（0-15GPa），已经通过高分辨率粉末X射线衍射方法确定了结晶相（空间组R3C和P2（1）/ c）的结构，并且它们的晶体包装模式已经存在与相关的全硫磺双层苯醌-1,2,3-二唑QT（空间组CMC2（1））相比。基于SE和SE和SE和SE和SE的材料之间的结构差异在局部分子间S / SE ... N'/ O'二次键合相互作用方面解释，其强度随硫芥性的性质而变化（S vs SE）。虽然没有找到与CMC2（1）相位相关的QT相关的完全二维砖墙填充图案，但是QS的所有三个阶段都是小的带隙半导体，Sigma（RT）范围为10（-5 ）对于R3C相的P2（1）/ C期至10（-3）Scm（-1）的Scm（-1）。施加压力的化合价和导通带的带宽增加，导致导电性的增加和热activation能量E-Act的降低。高纯度哌啶杂环砌块N-杂环碳烯催化的硝基烯烃反应：合成重要的结构单元。
3-芳基/杂芳基-2-芳基羟基芳基-3-氧化丙烷2c，d用乙基三苯基膦酰基磷酸乙酯D的Wittig反应在甲基磺酰甲基碳酸甲基甲基己酰基中提供2-取代的6-芳亚吡嗪-3（2H） - 酮（5A，B）中等产量。在乙酸钾存在下，也从2C，D与乙酸酐的反应获得化合物5A，B. 1-取代-3-二甲基氨基丙醇-2-烯-1-氨基丙醇1B，D夫妇与5-甲基异恶唑-3-重氮氯化氢，得到异恶唑肼唑烷丙烷2g，h。化合物1a，b耦合加入5-甲基吡唑-3-重氮酰氯，得到吡唑基酰肼丙烷，其容易循环到相应的吡唑[5,1-C] [1,2,4]三嗪。研究了2-芳基酰基-3-氧化丙烷2A-F朝向各种活性亚甲基试剂的反应性。
描述了由具有氧代和甲基磺基核键组成的亚ZenetetrayL亚基组成的梯形聚合物的合成途径。作为具有侧链甲基磺酰基的关键中间体，聚（亚苯基氧化物）S通过用O-2的相应酚的铜催化的氧化聚合制备。在乙酸存在下，在乙酸存在下具有等摩尔量的H 2 O 2的聚合物的氧化作用于不形成不需要的甲基磺基的甲基磺酰基对甲基磺酰基的高产转化。在稀释条件下所得聚合物（芳基磺氧化芳基芳基反应）的超酰化缩合诱导羟甲基苯基磺酸盐的聚合物 - 类似的分子内亲电子闭合反应在相邻的苯环上，得到所需的梯形聚合物，证明是a半导体具有2×10（5）S / cm的固有电导率。梯子聚合物与模型化合物的光谱性质的比较，如5-甲基苯并辛酸二甲酸甲酸乙酯和苯甲酰胺，公开了在甲基磺基核键上的PI-Electron Delocalization，展示了梯化对P-PI / D-PI相互作用的疗效芳基磺酸部分。这种合成方法允许硫代和烷基磺基梯梯形胶合剂，用于各种苯基醚以高产率形成。硫代氧化物衍生物作为合成靶杂环化合物的砌块，其抗微生物评估。
通过叠氮化钠与2H-二氮杂-2-羰基氯的反应合成2H-氮杂胺-2-羰基叠氮化物，通过叠氮化钠与2H-二氮杂-2-羰基氯的反应合成 - 催化5-氯异恶唑的异构化。由Ni（11）制备的2-（偶氮羰基）-1H-吡咯 - 用1,3-二酮的2-（壬烷烃）-2H-氮杂对催化反应，在沸腾的TBUOH中容易进行窗帘重排，得到BOC保护α-氨基吡咯高产。在惰性溶剂中加热2-（氮羰基）-1H-辐注的短时间内，导致苯并和杂融合1H-吡咯的高产量形成[2,3-B] Pyridin6（7h） - 酮通过涉及邻烷基酯的邻芳芳基或Hetaryl取代基的6 pi电循环形成，由偶氮羰基的凝聚重排产生的异氰酸酯的N = C键。 1-乙酰基-2-甲基-3H-吡咯的PD催化的交联反应[2,3-C]异喹啉-5-基三氟甲酸酯，易于由相应的吡咯喹酮制备，导致各种5-取代的3H-吡咯[2,3-c]异喹啉，产量优异。多六丙烯的合成途径：含有苯氧吡啶型砌块的杂环梯形聚合物的表征。高纯度哌啶杂环砌块
LiAlh4诱导的选择性环吡啶朝向2-（氨基甲基）吡咯烷和3-氨基哌啶作为符合条件的杂环砌块。P-Phos和PhanePhos和BoPhoz哌啶应用现状
首先，研究人员将考虑单体（构件）的分子和电子结构。随后，研究人员将描述低聚物结构的几何形状，并比较由芳族和非芳族五元杂环构建的低聚物中线性和环状p共轭之间的竞争。研究人员将讨论构件的芳香性如何影响能隙和静态极化率张量。理论研究调查了结构芳烃在确定五元杂环低聚物电子性质方面的影响。 更具体地说，理论研究考虑了一些基本的高能和电子性质，例如能隙，垂直电离能和由五元杂环（例如环戊二烯，吡咯，呋喃，硅烷，（平面）磷脂）构建的低聚物（多为八聚物）的静态极化率张量和噻吩。理论研究的计算基于从头算起的量子力学的方法，包括了（与时间有关）密度泛函理论。 理论研究选择NICS作为测量芳香度并区分芳香和非芳香结构单元的定量标准。P-Phos和PhanePhos和BoPhoz哌啶应用现状
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